[发明专利]叠层陶瓷电容器有效
申请号: | 200680008331.3 | 申请日: | 2006-02-02 |
公开(公告)号: | CN101142642A | 公开(公告)日: | 2008-03-12 |
发明(设计)人: | 中野牧人;斋藤彰 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01G4/12 | 分类号: | H01G4/12;H01G4/30 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 电容器 | ||
技术领域
本发明涉及一种叠层陶瓷电容器,特别是涉及作为叠层陶瓷电容器中具备的电容器主体中没有配置内部电极的部分的外层部的结构。
背景技术
对于本发明而言有意义的叠层陶瓷电容器的通常结构如图5所示。
如图5所示,叠层陶瓷电容器1具备电容器主体2和该电容器主体2的相对向的端部上形成的第一及第二外部电极3及4。电容器主体2包括多个内部电极5及6与多个电介质陶瓷层7彼此叠层而成的电容形成部8,和在该电容形成部8的上下面分别堆积的电介质陶瓷构成的外层部9。
上述多个内部电极5及6成组并被分成在彼此之间形成静电电容的第一内部电极5和第二内部电极6,第一内部电极5与第一全部队机3电连接,第二内部电极6与第二外部电极4电连接。
在这样的叠层陶瓷电容器1中,通常存在于电容形成部8的电介质陶瓷层7和外层部9由相同的电介质陶瓷材料构成。
另外,通过准备形成有内部电极5及6、电介质陶瓷层7以及外层部9的电容器主体2的未加工状态的电容器主体,对其同时进行烧成,然后在已烧结的电容器主体2的两端部涂布导电性糊,对其进行烧付,从而形成外部电极3及4来制造叠层陶瓷电容器1。
在这样的叠层陶瓷电容器1中,由于构成电介质陶瓷层7及外层部9的电介质陶瓷与内部电极5及6之间的热膨胀系数的差、上述电介质陶瓷与外部电极3及4之间的热膨胀系数的差,在用于得到已烧结的电容器主体2的烧成工序及用于形成外部电极3及4的烧付工序之后的冷却过程中,在电容器主体2中会产生残留应力,特别是在外部电极3及4的各端部10附近,大多会集中如虚线的箭头所示的拉伸应力11。
在这样的状况下,在实装时或赋予热循环条件时,或者在实装叠层陶瓷电容器1的布线基板(未图示)产生挠曲时等,由于外部要因,在电容器主体2产生应力时,本来作为残留应力的拉伸应力11就已集中的外部电极3及4的端部10附近进一步加上应力,所以容易以此为起点发生向如用箭头12所示方向伸展的裂缝。
因此,例如在专利文献1及2中提出了通过对外层部9中的结构想办法来抑制如上所述的裂缝发生的技术。
在专利文献1中提出了,使构成外层部9的电介质陶瓷的热膨胀系数比构成电容形成部8中的电介质陶瓷层7的电介质陶瓷的热膨胀系数小0.2×10-6~1×10-6/℃,而且外层部9的厚度在20~200μm。通过采用这样的结构,由于与电容形成部8相比,外层部9的热膨胀系数变小,所以可以利用在电容形成部8的冷却收缩,在外层部9的压缩应力及在外部电极3及4的端部10的压缩应力变高,抑制裂缝的发生。
在专利文献2中提出了用机械强度高的电介质陶瓷构成外层部9中的最外层,使叠层于最外层的内侧的第二层为多孔质。利用这样的结构,可以用多孔质的第二层吸收外层部9中的最外层与电容形成部8之间的收缩度的不同,同时还可以利用机械强度高的最外层抑制裂缝的发生。
但是,如果利用专利文献1中记载的技术,则外层部9与外部电极3及4之间的热膨胀系数的差变大,集中在外部电极3及4的端部10附近的拉伸应力11可能变得更强,裂缝反而变得更容易发生。
另外,即使是专利文献1中记载的技术及专利文献2中记载的技术的任意一种,在热循环之类的低应力循环引起的疲劳断裂导致裂缝发生的情况下,在图5中,如箭头12所示,裂缝在外层部9内伸展到达内部电极5及6的可能性很高。结果,在叠层陶瓷电容器1中,引起短路不良或电容降低等特性劣化。
专利文献1:特开平3-136308号公报
专利文献2:特开平2-86109号公报
发明内容
因此,本发明的目的在于提供一种可以解决如上所述的问题的叠层陶瓷电容器。
本发明是一种叠层陶瓷电容器,其是一种具备电容器主体和在所述电容器主体的外表面上的彼此不同位置形成的第一及第二外部电极,其中的所述电容器主体包括由多个内部电极和多个电介质陶瓷层交替叠层而成的电容形成部和在所述电容形成部的上下面分别堆积的由电介质陶瓷构成的外层部,多个所述内部电极分类成形成组从而在相互之间形成静电电容的第一内部电极和第二内部电极,所述第一内部电极与所述第一外部电极电连接,所述第二内部电极与所述第二外部电极电连接,所述第二内部电极与所述第二外部电极电连接的叠层陶瓷电容器,该叠层陶瓷电容器的特征在于,为了解决上述技术课题而具备如下所述的结构。
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