[发明专利]用于低K电介质的侧壁孔密封有效
| 申请号： | 200680008967.8 | 申请日： | 2006-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101164160A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 威廉·费雷德里克·艾德里安勒斯·贝斯令 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 电介质 侧壁 密封 | ||
1.一种在集成电路管芯上形成导电互连结构的方法，该方法包括：
-提供多孔低k电介质材料层(16)，
-除去所述电介质材料的选定部分以形成各个开口(30)，
-在所述电介质材料上涂敷生孔剂材料(42)以使所述生孔剂材料(42)渗入到所述电介质材料中；
-在所述开口(30)中提供导电材料(36)以形成所述互连，并且随后
-进行固化步骤以从所述电介质材料(16)除去所述生孔剂材料(44)从而恢复所述电介质材料(16)的多孔性。
2.如权利要求1的方法，其中在形成所述开口(30)之前，所述生孔剂材料(42)被涂敷在所述电介质层(16)上。
3.如权利要求1的方法，其中在形成所述开口(30)后，在所述电介质材料上涂敷所述生孔剂材料(42)。
4.如权利要求3的方法，其中所述生孔剂材料(42)被涂敷到所述开口(30)的侧壁上。
5.如权利要求1的方法，其中所述生孔剂材料(42)包括可热降解的聚合物材料。
6.根据权利要求1的方法，包括双镶嵌工艺，其中开口(30)是通孔开口，并且对于沟槽蚀刻工艺，以抗蚀剂层的形式提供生孔剂材料(42)。
7.如权利要求1的方法，包括双镶嵌工艺，其中开口(30)是通孔开口，并且在通孔开口(30)的侧壁上提供生孔剂材料，对于沟槽蚀刻工艺，随后在开口中提供抗蚀剂层(32)。
8.如权利要求1的方法，其中，在将生孔剂材料(42)涂敷到开口(30)的侧壁上之后，在所述开口(30)中提供导电材料(36)之前，将阻挡材料层提供到所述侧壁上。
9.如权利要求8的方法，其中通过原子层沉积工艺提供所述阻挡材料层(35)。
10.如权利要求1的方法，其中所述导电材料(36)是铜。
11.一种通过如权利要求1的方法形成的导电互连。
12.一种集成电路管芯，其中包括根据权利要求11的多个导电互连。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
