[发明专利]气相沉积应用中使用的线圈和制造方法无效

专利信息
申请号: 200680009153.6 申请日: 2006-03-01
公开(公告)号: CN101146928A 公开(公告)日: 2008-03-19
发明(设计)人: E·李;N·特罗;R·普拉特;N·桑德 申请(专利权)人: 霍尼韦尔国际公司
主分类号: C23C16/54 分类号: C23C16/54
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 吕彩霞;韦欣华
地址: 美国新*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 沉积 应用 使用 线圈 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种用在气相沉积系统中的线圈组件,包括:

具有长度、高度、内边缘、外边缘和厚度的至少一个主线圈,其中主线圈的厚度按内边缘和外边缘之间的距离测量,和其中主线圈的至少部分厚度与参比线圈相比减少至少20%。

2.权利要求1的线圈组件,其中参比线圈包括与主线圈相同的材料。

3.权利要求1的线圈组件,其中主线圈包括金属或金属合金。

4.权利要求3的线圈组件,其中金属或金属合金包括过渡金属。

5.权利要求1的线圈组件,其中主线圈的至少部分厚度与参比线圈相比减少至少30%。

6.权利要求5的线圈组件,其中主线圈的至少部分厚度与参比线圈相比减少至少40%。

7.权利要求6的线圈组件,其中主线圈的至少部分厚度与参比线圈相比减少至少50%。

8.权利要求1的线圈组件,其中主线圈的至少部分厚度在主线圈的整个高度上减少。

9.权利要求1的线圈组件,其中主线圈的至少部分厚度在主线圈整个高度的至少一部分上减少。

10.权利要求1的线圈组件,其中内边缘和外边缘之间的距离包括至少30度角度。

11.权利要求10的线圈组件,其中内边缘和外边缘之间的距离包括至少60度角度。

12.一种离子沉积装置,包括权利要求1的线圈组件。

13.一种溅射室组件,包括权利要求12的离子沉积装置。

14.一种溅射室组件,包括权利要求1的线圈组件。

15.一种用在气相沉积系统中的线圈组件,包括:

具有长度、高度、内边缘、外边缘和厚度的至少一个主线圈,其中主线圈的厚度按内边缘和外边缘之间的距离测量,和其中主线圈至少一部分的至少部分高度与参比线圈高度相比减少至少20%。

16.权利要求15的线圈组件,其中参比线圈包括与主线圈相同的材料。

17.权利要求15的线圈组件,其中主线圈包括金属或金属合金。

18.权利要求17的线圈组件,其中金属或金属合金包括过渡金属。

19.权利要求15的线圈组件,其中主线圈至少一部分的至少部分高度与参比线圈相比减少至少30%。

20.权利要求19的线圈组件,其中主线圈至少一部分的至少部分高度与参比线圈相比减少至少40%。

21.权利要求20的线圈组件,其中主线圈至少一部分的至少部分高度与参比线圈相比减少至少40%。

22.一种离子沉积装置,包括权利要求15的线圈组件。

23.一种溅射室组件,包括权利要求22的离子沉积装置。

24.一种溅射室组件,包括权利要求15的线圈组件。

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