[发明专利]气相沉积应用中使用的线圈和制造方法无效
申请号: | 200680009153.6 | 申请日: | 2006-03-01 |
公开(公告)号: | CN101146928A | 公开(公告)日: | 2008-03-19 |
发明(设计)人: | E·李;N·特罗;R·普拉特;N·桑德 | 申请(专利权)人: | 霍尼韦尔国际公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吕彩霞;韦欣华 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 沉积 应用 使用 线圈 制造 方法 | ||
1.一种用在气相沉积系统中的线圈组件,包括:
具有长度、高度、内边缘、外边缘和厚度的至少一个主线圈,其中主线圈的厚度按内边缘和外边缘之间的距离测量,和其中主线圈的至少部分厚度与参比线圈相比减少至少20%。
2.权利要求1的线圈组件,其中参比线圈包括与主线圈相同的材料。
3.权利要求1的线圈组件,其中主线圈包括金属或金属合金。
4.权利要求3的线圈组件,其中金属或金属合金包括过渡金属。
5.权利要求1的线圈组件,其中主线圈的至少部分厚度与参比线圈相比减少至少30%。
6.权利要求5的线圈组件,其中主线圈的至少部分厚度与参比线圈相比减少至少40%。
7.权利要求6的线圈组件,其中主线圈的至少部分厚度与参比线圈相比减少至少50%。
8.权利要求1的线圈组件,其中主线圈的至少部分厚度在主线圈的整个高度上减少。
9.权利要求1的线圈组件,其中主线圈的至少部分厚度在主线圈整个高度的至少一部分上减少。
10.权利要求1的线圈组件,其中内边缘和外边缘之间的距离包括至少30度角度。
11.权利要求10的线圈组件,其中内边缘和外边缘之间的距离包括至少60度角度。
12.一种离子沉积装置,包括权利要求1的线圈组件。
13.一种溅射室组件,包括权利要求12的离子沉积装置。
14.一种溅射室组件,包括权利要求1的线圈组件。
15.一种用在气相沉积系统中的线圈组件,包括:
具有长度、高度、内边缘、外边缘和厚度的至少一个主线圈,其中主线圈的厚度按内边缘和外边缘之间的距离测量,和其中主线圈至少一部分的至少部分高度与参比线圈高度相比减少至少20%。
16.权利要求15的线圈组件,其中参比线圈包括与主线圈相同的材料。
17.权利要求15的线圈组件,其中主线圈包括金属或金属合金。
18.权利要求17的线圈组件,其中金属或金属合金包括过渡金属。
19.权利要求15的线圈组件,其中主线圈至少一部分的至少部分高度与参比线圈相比减少至少30%。
20.权利要求19的线圈组件,其中主线圈至少一部分的至少部分高度与参比线圈相比减少至少40%。
21.权利要求20的线圈组件,其中主线圈至少一部分的至少部分高度与参比线圈相比减少至少40%。
22.一种离子沉积装置,包括权利要求15的线圈组件。
23.一种溅射室组件,包括权利要求22的离子沉积装置。
24.一种溅射室组件,包括权利要求15的线圈组件。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的