[发明专利]含钌膜的沉积方法

权利要求书

1.在基底上沉积含钌膜的方法，包括下列步骤：

a)向反应器内提供至少一种基底；

b)在所述反应器内加入至少一种具有下式的含钌前体：

(R_n-chd)Ru(CO)₃

其中，

-(R_n-chd)代表被n个取代基R取代的一个环己二烯(chd)配体，任何R位于chd配体的任意位置上；

-n是包括1至8的整数(1≤n≤8)，并代表chd配体上的取代基数；

-当R位于chd配体的8个可用位置的任一个上时，R选自由C1-C4直链或支链烷基、烷基酰胺、醇盐、烷基甲硅烷基酰胺、脒根、羰基和/或氟烷基组成的组，而对于chd环中不包含在双键中的C位置上的取代，R也可以是氧O；

-chd配体上未被取代的位置被H分子占据；

c)于高于100℃的温度条件沉积所述至少一种含钌前体；

d)在所述基底上沉积所述含金属的膜。

2.根据权利要求1的方法，其中n＝1且R是C1-C4烷基，优选R是甲基或乙基。

3.根据权利要求1或2的方法，其中至少一个R取代基位于配体的具有双C键的碳原子上。

4.根据权利要求1至3之一的方法，其中钌前体的式是1-甲基环己1，4-二烯。

5.根据权利要求1的方法，其中n大于1且R是C1-C4烷基，优选甲基和/或乙基。

6.根据权利要求5的方法，其中在chd配体的没有双键的碳上有至少一个R。

7.根据权利要求1至6之一的方法，其中温度条件选自100℃至500℃，优选150℃至350℃。

8.根据权利要求1至7之一的方法，其中进入反应器的压力保持在1Pa至10⁵Pa，优选25Pa至10³Pa。

9.根据权利要求1至8之一的方法，进一步包括向反应器内提供至少一种还原流的步骤，所述还原流优选选自由H₂、NH₃、SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、含氢流、氢基团及其混合物组成的组。

10.根据权利要求1至9之一的方法，进一步包括向反应器内提供至少一种含氧流的步骤，所述含氧流优选选自由O₂、O₃、H₂O、H₂O₂、含氧基团、例如O^-或OH^-、及其混合物组成的组。

11.具有下式的含钌前体用于在基底上沉积含Ru膜的用途：

(R_n-chd)Ru(CO)₃

其中，

-(R_n-chd)代表被n个取代基R取代的环己二烯(chd)配体，任何R位于chd配体的任意位置上；

-n是包括1至8的整数(1≤n≤8)，并代表chd配体上的取代基数；

-当R位于chd配体的8个可用位置的任一个上时，R选自由C1-C4直链或支链烷基、烷基酰胺、醇盐、烷基甲硅烷基酰胺、脒根、羰基和/或氟烷基组成的组，而对于chd环中不包含在双键中的C位置上的取代，R也可以是氧O。

12.根据权利要求11的用途，其中n＝1且R是C1-C4烷基，优选甲基或乙基。

13.根据权利要求11至12的用途，其中至少一个R取代基位于配体的具有双C键的碳原子上。

14.根据权利要求11至13的用途，其中钌前体的式是1-甲基环己1，4-二烯。

15.根据权利要求11的用途，其中n大于1且R是C1-C4烷基，优选甲基和/或乙基。

16.根据权利要求15的用途，其中在chd配体的不包含在双键中的碳上具有至少一个R。