[发明专利]用于钎焊铝基材料的助焊剂粉末和该助焊剂粉末的制备方法无效

专利信息
申请号: 200680009458.7 申请日: 2006-03-23
公开(公告)号: CN101146645A 公开(公告)日: 2008-03-19
发明(设计)人: 本多一义;斋藤悟 申请(专利权)人: 日本电材化成股份有限公司;三菱综合材料株式会社
主分类号: B23K35/363 分类号: B23K35/363;B23K35/40
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 刘冬;李炳爱
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 用于 钎焊 基材 焊剂 粉末 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种助焊剂粉末,其含有KAlF4、K2AlF5和K2AlF5·H2O,用于钎焊镁含量为0.1~1.0%重量的铝基材料,该粉末的特征在于:具有K/Al摩尔比为1.00~1.20范围、F/Al摩尔为3.80~4.10范围的组成,上述K2AlF5和K2AlF5·H2O的总含量为6.0~40.0%重量,余量为KAlF4,上述部分或全部K2AlF5·H2O的晶体结构为K缺陷型、F缺陷型或K和F缺陷型中的至少一种晶体结构。

2.一种助焊剂粉末,其含有KAlF4、K2AlF5、K2AlF5·H2O和K3AlF6,用于钎焊镁含量为0.1~1.0%重量的铝基材料,该粉末的特征在于:具有K/Al摩尔比为1.00~1.20范围、F/Al摩尔比为3.80~4.10范围的组成,上述K2AlF5和K2AlF5·H2O的总含量为6.0~40.0%重量,上述K3AlF6的含量为5.0%重量以下,余量为KAlF4,上述部分或全部K2AlF5·H2O的晶体结构为K缺陷型、F缺陷型或K和F缺陷型中的至少一种晶体结构。

3.权利要求1或2的助焊剂粉末,其在100℃下干燥至恒重时的体积电阻率为1×109~5×1011Ω·cm。

4.权利要求1或2的助焊剂粉末,对其进行X射线衍射分析时,来源于K2AlF5·H2O的、位于44°~45°之间的2θ的最大衍射峰强度为来源于KAlF4的最大峰强度的12%以下。

5.权利要求1或2的助焊剂粉末,对其进行差热分析时,在550~560℃的温度范围检测到的熔融峰高度高于在超过560℃的温度范围检测到的熔融峰高度。

6.一种助焊剂粉末的制备方法,其中所述的助焊剂粉末用于钎焊镁含量为0.1~1.0%重量的铝基材料,该方法的特征在于:使用氢氧化铝、氢氟酸和氢氧化钾作为原料化合物,在K/Al摩尔比为1.00~1.20以及F/Al摩尔比为4.00~4.20的范围内使用上述原料化合物,并且使该原料化合物在70~100℃的反应温度下进行湿式反应。

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