[发明专利]通过毛细作用形成导电迹线有效
申请号: | 200680009805.6 | 申请日: | 2006-02-01 |
公开(公告)号: | CN101147238A | 公开(公告)日: | 2008-03-19 |
发明(设计)人: | C·G·阿丁顿;L·小克拉克;C·C·阿肖夫;B·C·斯奈德 | 申请(专利权)人: | 惠普开发有限公司 |
主分类号: | H01L21/288 | 分类号: | H01L21/288 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳;王忠忠 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通过 细作 形成 导电 | ||
背景
导电迹线是电子器件内的重要组成部分。导电迹线将这种器件的不同电子元件连接起来。它们还将电子器件的电子元件连接到所述器件的焊盘或触点。然后,所述焊盘或触点被连接到其它电子器件,从而使得能够互连两个或更多个电子器件。
对于小型电子器件,例如半导体器件、喷墨打印头和其它类型的电子器件,导电迹线一般被形成在所述器件的二维平面上。因此,可以形成给定导电迹线来连接在电子器件的同一二维平面上的两个电元件。然而,随着电子器件已经变得更为复杂,可能需要在三维上连接它们的电子元件,其中包括在与电子器件的主二维平面垂直的一维。
附图简述
在此参考的附图形成了本说明书的一部分。在附图中所示的特征仅仅打算说明本发明的一些实施例,而不是说明本发明的所有实施例。
图1是根据本发明的一个实施例的通过毛细作用形成导电迹线的方法的流程图。
图2A和图2B是根据本发明的不同实施例的电子器件的示意图,每个电子器件的衬底的内部限定了润湿区、毛细区或亲水区。
图3A和图3B是根据本发明的不同实施例的电子器件的示意图,每个电子器件的衬底具有润湿区、毛细区或亲水区,在所述润湿区、毛细区或亲水区的内部已经通过毛细作用或毛细管力形成了导电迹线。
图3C和图3D分别是根据本发明另一实施例的电子器件的顶视图和前视图,该电子器件的衬底具有润湿区、毛细区或亲水区,在所述润湿区、毛细区或亲水区的内部已经通过毛细作用或毛细管力形成了导电迹线。
图4是根据本发明另一实施例的通过毛细作用形成导电迹线的方法的流程图。
图5是根据本发明的一个实施例的导电种子的示意图,所述导电种子是作为为了至少部分地形成导电迹线而在整个毛细区中导电种子材料的毛细作用的结果而被留下或形成的。
图6是根据本发明的一个实施例的附加导电材料的示意图,所述附加导电材料对图5的导电种子进行无电极电镀以在毛细区内进一步形成导电迹线。
图7是根据本发明的一个实施例的另一导电材料的示意图,所述另一导电材料被电镀到图6中的对导电种子进行无电极电镀的附加导电材料上,以在毛细区内更充分地形成导电迹线。
附图详述
在以下对本发明的示例性实施例的详细描述中参考了附图,所述附图形成本发明的一部分,并且其中通过图解的方式示出了可以实施本发明的特定示例性实施例。为了使本领域技术人员能够实施本发明,足够详细地描述了这些实施例。在不脱离本发明的精神或范围的情况下,可以利用其它的实施例,并且可以进行逻辑的、机械的、电的、电光的、软件/固件的以及其它的变化。因此,以下的详细描述不应当在限制的意义上来看待,并且本发明的范围仅由所附的权利要求书来限定。
图1示出根据本发明的一个实施例的通过毛细作用或毛细管力在电子器件的衬底的内部形成导电迹线的方法100。可以如此执行该方法100来至少部分地制造这样的电子器件。首先,在电子器件的衬底的内部限定润湿区以及非润湿区(102)。润湿区也可被称作毛细区或亲水区。
润湿区是衬底的一部分,在其上、其里、穿过其或其内部,液态或半液态导电材料将通过毛细作用或毛细管力来流动。例如,润湿区可被限定为通过激光消融在衬底的内部所形成的沟或槽。激光消融过程固有地使所述沟或槽的侧面与衬底其它表面相比变得粗糙。这些粗糙表面形成了润湿区,这是因为通过毛细作用或毛细管力,涂覆到润湿区一端的液态或半液态材料将流到润湿区的另一端。相比之下,与润湿区相比相对更光滑的衬底的其它表面将不使所述材料在其中或其上流动。这些其它表面被称作非润湿区、非毛细区或疏水区,并且其在一个实施例中通过明确地限定润湿区而被固有地限定。
润湿区本身足以提供毛细管力或毛细作用来使得涂覆到润湿区一端的液态或半液态材料流到其另一端。因此,所得到的毛细管力可能由于润湿区的几何结构(例如润湿区是管道或沟道的位置)、由于润湿区的表面粗糙度、或者润湿区的几何形状与润湿区的表面粗糙度的组合而发生。以这种方式,侧面光滑的管道或沟道以及粗糙路径可以提供毛细管力或毛细作用,所述粗糙路径实际上是一系列微沟道,而不是可以提供毛细管力或毛细作用的沟道或管道的一部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造