[发明专利]电子材料用Cu－Ni－Si－Co－Cr系铜合金及其制造方法有效
| 申请号： | 200680009829.1 | 申请日： | 2006-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101151385A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 江良尚彦;深町一彦;桑垣宽 | 申请（专利权）人： | 日矿金属株式会社 |
| 主分类号： | C22C9/06 | 分类号： | C22C9/06;C22F1/08;C22F1/00;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 庞立志;李平英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 材料 cu ni si co cr 铜合金 及其 制造 方法 | ||
1.电子材料用Cu-Ni-Si-Co-Cr系铜合金，其特征是含有Ni：约0.5～约2.5质量％、Co：约0.5～约2.5质量％、和Si：约0.30～约1.2质量％、Cr：约0.09～约0.5质量％，其余部分由Cu和不可避免的杂质构成，该合金组成中的Ni和Co的合计量相对于Si的质量浓度比([Ni+Co]/Si比)为：约4≤[Ni+Co]/Si≤约5，该合金组成中的Ni和Co的质量浓度比(Ni/Co比)为：约0.5≤Ni/Co≤约2，对于分散在材料中的大小为1μm以上的夹杂物的个数(P)，其中的含碳浓度为10质量％以上的夹杂物的个数(Pc)，Pc为约15个/1000μm2以下，且其比(Pc/P)为约0.3以下。
2.权利要求1所述的电子材料用Cu-Ni-Si-Co-Cr系铜合金，其还含有选自P、As、Sb、Be、B、Mn、Mg、Sn、Ti、Zr、Al、Fe、Zn和Ag中的1种或2种以上合计最多约2.0质量％。
3.权利要求1或2所述的电子材料用Cu-Ni-Si-Co-Cr系铜合金的制造方法，其特征是对于将铸块在约900℃以上、不到约1000℃的温度加热后，以热轧结束温度为约650℃以上进行热轧，并进行冷轧得到的坯料，在材料温度为约850～约1000℃进行固溶处理，并在材料温度为约350～约550℃进行时效处理。
4.电子部件，其使用权利要求1或2所述的电子材料用Cu-Ni-Si-Co-Cr系铜合金。
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