[发明专利]磁记录介质的制造方法、磁记录介质以及表面处理装置无效

专利信息
申请号: 200680009909.7 申请日: 2006-01-27
公开(公告)号: CN101151663A 公开(公告)日: 2008-03-26
发明(设计)人: 大泽弘;黑川刚平 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社
主分类号: G11B5/84 分类号: G11B5/84;G11B5/725;H01J37/31;H01J37/32;H05H1/24
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 杨晓光;李峥
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 记录 介质 制造 方法 以及 表面 处理 装置
【权利要求书】:

1.一种磁记录介质的制造方法包括:

在非磁性基底上顺序层积至少磁性层、保护膜层和润滑剂层;以及

使用在接近大气压的气压下产生的等离子体所激活的气体来对所述润滑剂层的表面进行处理。

2.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法,其中,进行表面处理的所述压强为从1.3×104到13×104Pa。

3.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法,其中,进行表面处理的所述压强为从9.9×104到10.3×104Pa。

4.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法,其中,所述等离子体为辉光放电等离子体。

5.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法,其中,所述气体包含从由氮气、氧气和氩气构成的一组气体中选出来的至少一种类型的气体。

6.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法,其中,在接近大气压的气压下产生的所述等离子体是通过在相对的电极之间施加电场所产生的一种等离子体。

7.根据权利要求6所述的磁记录介质的制造方法,其中,所述相对的电极被设置为从垂直于待处理基底的位置倾斜1度到45度,在所述待处理基底中,在所述非磁性基底上至少形成磁性层、保护膜层和润滑剂层。

8.根据权利要求6所述的磁记录介质的制造方法,其中,所述相对的电极被形成为垂直于待处理基底,在所述待处理基底中,在所述非磁性基底上至少形成磁性层、保护膜层和润滑剂层。

9.根据权利要求6所述的磁记录介质的制造方法,其中,通过将待处理基底放置在所述相对的电极之间来对所述保护膜层进行表面处理,在所述待处理基底中,在所述非磁性基底上至少形成磁性层、保护膜层和润滑剂层。

10.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法,其中,使用被激活的气体对待处理基底的两面同时进行表面处理,在所述待处理基底中,在所述非磁性基底上至少形成磁性层、保护膜层和润滑剂层。

11.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法,其中,所述非磁性基底是从玻璃基底和硅基底中选出来的一种基底。

12.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法,其中,所述非磁性基底具有由NiP或NiP合金构成的薄膜,该薄膜形成在从Al、Al合金、玻璃和硅中选出来的一种材料所构成的基板的表面上。

13.一种磁记录介质,由根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法所制造。

14.一种磁记录和再现设备包括:

根据权利要求13所述的磁记录介质;以及

在所述磁记录介质上记录和再现数据的磁头。

15.一种表面处理装置包括:

第一器件,用于在接近大气压的气压下通过在相对的电极之间施加电场产生等离子体来形成被激活的气体;以及

第二器件,用于使所述被激活的气体辐射到待处理基底的表面上,在所述被处理基底中,在非磁性基底上至少形成磁性层、保护膜层和润滑剂层。

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