[发明专利]使用光致抗蚀剂掩模的蚀刻

权利要求书

1.一种蚀刻衬底上的介电层的方法，包括：

在介电层上形成光致抗蚀剂掩模；

将衬底放入等离子体处理室中；

向等离子体室内提供含有NF₃的蚀刻气体；

由NF₃气体形成等离子体；以及

通过光致抗蚀剂掩模，使用由NF₃气体形成的等离子体蚀刻介电层。

2.如权利要求1所述的方法，其中蚀刻气体基本不含有碳氟化合物和氢氟烃。

3.如权利要求1-2中任一项所述的方法，其中介电层是低k介电层。

4.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中介电层是氧化硅基介电层。

5.如权利要求4所述的方法，其中氧化硅基介电层是有机硅酸盐玻璃。

6.如权利要求1-5中任一项所述的方法，其中形成光致抗蚀剂掩模是形成厚度不超过400nm的光致抗蚀剂掩模。

7.如权利要求1-5中任一项所述的方法，其中形成光致抗蚀剂掩模是形成厚度不超过200nm的光致抗蚀剂掩模。

8.如权利要求1-7中任一项所述的方法，其中蚀刻气体主要由NF₃和惰性稀释剂组成。

9.由权利要求1-8中任一项的方法制造的半导体器件。

10.一种蚀刻衬底上的介电层的方法，包括：

在介电层上形成厚度不超过400nm的光致抗蚀剂掩模；

将衬底放入等离子体处理室中；

向等离子体室内提供主要由NF₃和稀释剂组成的蚀刻气体；

由NF₃气体形成等离子体；以及

通过光致抗蚀剂掩模，使用由NF₃气体形成的等离子体蚀刻介电层。

11.如权利要求10中所述的方法，其中介电层是低k介电层。

12.如权利要求10-11中任一项所述的方法，其中介电层是氧化硅基介电层。

13.如权利要求10所述的方法，其中介电层是有机硅酸盐玻璃。

14.一种用于在蚀刻层中形成特征的设备，其中所述层由衬底支撑，并且其中所述蚀刻层由光致抗蚀剂掩模覆盖，该设备包括：

等离子体处理室，包括：

形成等离子体处理室壳体的室壁；

用于在等离子体处理室壳体内支撑衬底的衬底支撑物；

用于调节等离子体处理室壳体内的压力的压力调节器；

至少一个用于向等离子体处理室壳体提供电能来维持等离子体的电极；

用于向等离子体处理室壳体内提供气体的进气口；以及

用于从等离子体处理室壳体排气的出气口；

与进气口流体连接的含有NF₃源的气源，

可控制地连接到气源和所述至少一个电极的控制器，包含：

至少一个处理器；以及

计算机可读介质，包括：

用于从NF₃源向等离子体处理室内提供NF₃气体的计算机可读代码；

用于由NF₃气体产生等离子体的计算机可读代码；

用于提供等离子体条件以使用由NF₃气体形成的等离子体对蚀刻层进行蚀刻的计算机可读代码。