[发明专利]变形硅晶片的表面检查方法和检查装置有效
申请号: | 200680010451.7 | 申请日: | 2006-03-27 |
公开(公告)号: | CN101151522A | 公开(公告)日: | 2008-03-26 |
发明(设计)人: | 高野英明;清水美雪;仙田刚士;泉妻宏治;林义典;浜谷和彦 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子株式会社;科发伦材料株式会社 |
主分类号: | G01N21/956 | 分类号: | G01N21/956;H01L21/66 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 变形 晶片 表面 检查 方法 装置 | ||
1.一种变形硅晶片的表面检查方法,检查变形硅晶片的表层中产生的变形,其特征在于,具备如下工序:
对上述变形硅晶片的表面进行照明的工序;
在上述变形硅晶片表面被照明的环境下,在多个旋转角度位置,对旋转的上述变形硅晶片表面呈现的亮线进行摄像的工序;和
根据在各旋转位置得到的变形硅晶片的表面图像,生成合成图像的工序。
2.根据权利要求1所述的变形硅晶片的表面检查方法,其特征在于:
上述合成图像的生成利用如下工序来进行:
生成差分图像的工序,其中该差分图像表示在各个旋转角度位置利用摄像得到的表面图像与规定的基准图像之间的亮度差分;和
合成各旋转角度位置的差分图像以生成合成图像的工序。
3.根据权利要求1或2所述的变形硅晶片的表面检查方法,其特征在于:
对上述变形硅晶片的表面进行摄像的工序中,作为摄像条件,至少包含上述变形硅晶片的表面照度及摄像时的曝光时间。
4.根据权利要求1所述的变形硅晶片的表面检查方法,其特征在于:
具有从上述合成图像中提取亮度信息的步骤,其中该亮度信息表示上述合成图像中呈现的亮线的亮度。
5.一种变形硅晶片的表面检查装置,检查变形硅晶片的表面产生的变形,其特征在于,具备:
照明装置,对上述变形硅晶片的表面进行照明;
驱动控制部件,使上述变形硅晶片沿周向旋转;
摄像部件,在上述变形硅晶片表面被照明的环境下,在多个旋转角度位置,对上述变形硅晶片表面呈现的亮线进行摄像;和
图像处理部件,根据在各旋转位置得到的上述变形硅晶片的表面图像,生成合成图像。
6.根据权利要求5所述的变形硅晶片的表面检查装置,其特征在于:
上述照明部件对上述摄像部件维持暗视野环境,并对上述变形硅晶片的表面进行照明。
7.根据权利要求5或6所述的变形硅晶片的表面检查装置,其特征在于:
上述照明部件具有多个光源,这些光源配置成各光轴不平行并且在上述变形硅晶片的旋转中心交叉。
8.根据权利要求5~7中的任意一项所述的变形硅晶片的表面检查装置,其特征在于:
上述驱动控制部件包括保持上述变形硅晶片的转台、和按每个规定角度旋转驱动该转台的步进电机。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芝浦机械电子株式会社;科发伦材料株式会社,未经芝浦机械电子株式会社;科发伦材料株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680010451.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。