[发明专利]负载驱动电路有效

专利信息
申请号: 200680010650.8 申请日: 2006-03-07
公开(公告)号: CN101151654A 公开(公告)日: 2008-03-26
发明(设计)人: 武田浩二 申请(专利权)人: 株式会社日出高科技
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36;G09G3/20;H03F3/26;H03F3/213;H03K17/687
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 吴丽丽
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 负载 驱动 电路
【说明书】:

技术领域

本发明涉及例如在液晶显示板的源驱动器中构建的、例如当液晶显示板的信号线响应于n比特D/A转换器的多值输出被驱动时被使用的负载驱动电路。

背景技术

在构建于液晶显示板的源驱动器中的、例如当液晶显示板的信号线被驱动时所使用的负载驱动电路中,内置相位补偿器,旨在改进相位特性,防止电路振荡等等(例如,见专利文件1、2和3)。

内置有相位补偿器的这样的负载驱动电路的例子被显示于图12。如图所示,该负载驱动电路包括应当连接负载(未示出)的输出端OUT;应被送给输入信号的输入端IN;末级放大器AMP0,包括用于驱动负载的输出元件(P1和N1);预放大器(AMP1和AMP2),用于根据输入信号驱动被包括在末级放大器中的输出元件(P1,N1);和相位补偿器(上升沿相位补偿器13和下降沿相位补偿器14),用于改进输入和输出信号波形之间的相位特性,并被构建为使得非倒相形式的输出信号根据加到输入端IN的输入信号出现在输出端。

在本例中,末级放大器AMP0由互补连接的一对输出元件(p沟道型MOS场效应晶体管P1(此后简称为“晶体管P1”)和n沟道型MOS场效应晶体管N1(此后简称为“晶体管N1”))组成。输出元件(晶体管P1和N1)被偏置,使得末级放大器AMP0例如执行甲乙类运行。

预放大器由第一倒相放大器AMP1和第二倒相放大器AMP2组成,其中第一倒相放大器AMP1用来放大在输入端IN与输出端OUT之间的电位差并把该电位差加到末级放大器AMP0的高电位端输出元件(晶体管P1)的控制输入端(栅极端GP1),第二倒相放大器AMP2用来放大在输入端IN与输出端OUT之间的电位差并把该电位差加到末级放大器AMP0的低电位端输出元件(晶体管N1)的控制输入端(栅极端GN1)。

上升沿相位补偿器13包括被插入在高电位端输出元件(晶体管P1)的控制输入端(栅极端GP1)与输出端OUT之间的由电阻元件R1和电容器C1组成的串联电路。下降沿相位补偿器14包括被插入在低电位端输出元件(晶体管N1)的控制输入端(栅极端GN1)与输出端OUT之间的由电阻元件R2和电容器C2组成的串联电路。

显示负载驱动电路的各个部分的信号波形的波形图被显示于图13。如图所示,当输入端IN的电位从低电位改变到高电位时,第一倒相放大器AMP1降低晶体管P1的栅极端GP1的电位,同时,第二倒相放大器AMP2降低晶体管N1的栅极端GN1的电位,以使输出端OUT的电位和输入端IN的电位变为相同的电位。

于是,因为在栅极与源极之间的电位差增加,所以晶体管P1的驱动能力增强。另一方面,因为在栅极与源极之间的电位差减小,所以晶体管N1的驱动能力下降。

这时,被包括在相位补偿器13中的电容器C1通过因连接到输出端OUT的负载电容器造成的电容分割被瞬时放电。因此,晶体管P1的栅极端GP1的电位只在紧邻输入端IN的上升沿后的一段时间内下降,晶体管P1的初始驱动能力被进一步增强。结果,输出端OUT的电位可以跟随输入端IN的电位瞬时上升,相位特性得到改进。

另一方面,当输入端IN的电位从高电位改变到低电位时,第一倒相放大器AMP1增加晶体管P1的栅极端GP1的电位,同时,第二倒相放大器AMP2增加晶体管N1的栅极端GN1的电位,以使得输出端OUT的电位和输入端IN的电位变为相同的电位。

于是,因为在栅极与源极之间的电位差减小,所以晶体管P1的驱动能力下降。另一方面,因为在栅极与源极之间的电位差增加,所以晶体管N1的驱动能力增强。

这时,被包括在相位补偿器14中的电容器C2通过因连接到输出端OUT的负载电容器造成的电容分割被瞬时充电。因此,晶体管N1的栅极端GN1的电位只在紧邻输入端IN的下降沿的一段时间内增加,晶体管N1的初始驱动能力进一步加强。因此,输出端OUT的电位可以跟随输入端IN的电位瞬时下降,相位特性得到改进。

专利文件1:日本专利待审公开No.6-216662

专利文件2:日本专利待审公开No.7-106871

专利文件3:日本专利待审公开No.11-249625

发明内容

本发明所要解决的技术问题

然而,在传统的负载驱动电路中,由于电容器C1和C2被包括在相位补偿器(13和14)中,有一个问题:当试图以半导体集成电路实现负载驱动电路时,集成度不能有效地提高,因为在芯片上由电容器C1和C2占用的面积是大的,结果,很难降低LSI芯片的价格。

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