[发明专利]具有敞开的金属部位的微孔金属有机构架中的气体高吸附

权利要求书

1.一种气体储存材料，其包括金属有机构架，所述金属有机构架包括：

多个金属簇，每个金属簇包括一个或多个金属离子及至少敞开的金属部位；和

与相邻的金属簇相连的多个带电的多齿连接配位体，其中所述金属有机构架包括一个或多个用于储存气体的部位，所述气体包括用于连接至一个或多个用于储存气体的部位的可利用的电子密度。

2.根据权利要求1所述的气体储存材料，其中所述金属有机构架还包括用于气体吸附的多个孔。

3.根据权利要求1所述的气体储存材料，其中所述多个孔具有多峰尺寸分布。

4.根据权利要求1所述的气体储存材料，其中所述气体包括选自由氨、氩气、二氧化碳、一氧化碳、氢气及其组合组成的组的组分。

5.根据权利要求1所述的气体储存材料，其中每个金属簇包括2个或多个金属离子并且多个多齿配位体的每个配位体包括2个或多个羧酸盐。

6.根据权利要求1所述的气体储存材料，其中所述金属离子选自由IUPAC元素周期表的1族至16族的金属组成的组，所述IUPAC元素周期表包括锕系元素和镧系元素及其组合。

7.根据权利要求1所述的气体储存材料，其中所述金属离子选自由Li⁺、Na⁺、K⁺、Rb⁺、Be²⁺、Mg²⁺、Ca²⁺、Sr²⁺、Ba²⁺、Sc³⁺、Y³⁺、Ti⁴⁺、Zr⁴⁺、Hf⁴⁺、V⁴⁺、V³⁺、V²⁺、Nb³⁺、Ta³⁺、Cr³⁺、Mo³⁺、W³⁺、Mn³⁺、Mn²⁺、Re³⁺、Re²⁺、Fe³⁺、Fe²⁺、Ru³⁺、Ru²⁺、Os³⁺、Os²⁺、Co³⁺、Co²⁺、Rh²⁺、Rh⁺、Ir²⁺、Ir⁺、Ni²⁺、Ni⁺、Pd²⁺、Pd⁺、Pt²⁺、Pt⁺、Cu²⁺、Cu⁺、Ag⁺、Au⁺、Zn²⁺、Cd²⁺、Hg²⁺、Al³⁺、Ga³⁺、In³⁺、Tl³⁺、Si⁴⁺、Si²⁺、Ge⁴⁺、Ge²⁺、Sn⁴⁺、Sn²⁺、Pb⁴⁺、Pb²⁺、As⁵⁺、As³⁺、As⁺、Sb⁵⁺、Sb³⁺、Sb⁺、Bi⁵⁺、Bi³⁺、Bi⁺及其组合组成的组。

8.根据权利要求1所述的气体储存材料，其中所述金属簇具有式M_mX_n，其中M为金属离子，X选自由族14至族17的阴离子组成的组，m是1至10的整数，且n被选择成电荷平衡所述金属簇以使所述金属簇具有预先确定电荷的数值。

9.根据权利要求8所述的气体储存材料，其中X选自由O、N和S组成的组。