[发明专利]低翘曲度、弯曲度和TTV的75毫米碳化硅晶片

权利要求书

1.一种高质量的SiC单晶片，该单晶片具有至少约75毫米(3英寸)的直径、小于约5μm的翘曲度、小于约5μm的弯曲度、以及小于约2.0μm的TTV。

2.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中，所述翘曲度小于约2μm。

3.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中，所述翘曲度小于约1μm。

4.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中，所述弯曲度小于约2μm。

5.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中，所述弯曲度小于约1μm。

6.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中，所述TTV小于约1.5μm。

7.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中，所述TTV小于约1μm。

8.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中，所述晶体具有选自由3C、4H、6H、2H和15R多型构成的组中的多型。

9.根据权利要求1所述的高质量的晶片，所述晶片具有4H多型；并且

所述晶片具有约0.05μm和约5μm之间的翘曲度、约0.05μm和约5μm之间的弯曲度、以及约0.5μm和2.0μm之间的TTV。

10.根据权利要求1所述的高质量半导体晶片，包括：

碳化硅晶片，其具有至少约75毫米(3英寸)的直径；

所述晶片具有小于约5μm的翘曲度、小于约5μm的弯曲度、以及小于约2.0μm的TTV；以及

在所述碳化硅晶片的所述表面上的至少一个第三族氮化物外延层。

11.根据权利要求10所述的半导体晶片，其中，所述第三族氮化物层选自由GaN、AlGaN、AlN、AlInGaN、InN、AlInN及其组合构成的组中。

12.根据权利要求1所述的半导体晶片，包括：

彼此相对的各个第一表面和第二表面；以及

在所述碳化硅衬底上的多个器件，每一个所述器件包括：

位于所述衬底上的外延层，所述层具有一定浓度的适合使所述外延层成为第一导电性类型的掺杂原子，并且具有相应的源极、沟道和漏极部分；

在所述沟道部分上的金属氧化物层；以及

在所述金属氧化物层上的金属栅极触点，以便当施加偏压给所述金属栅极触点时形成有源沟道。

13.根据权利要求1所述的半导体晶片，包括：

彼此相对的各个第一表面和第二表面，以及

在所述碳化硅衬底上的多个器件，每一个所述器件包括：

在所述衬底上的导电沟道；

在所述导电沟道上的源极和漏极；以及

在所述导电沟道上的所述源极和所述漏极之间的金属栅极触点，以便在施加偏压给所述金属栅极触点时形成有源沟道。

14.根据权利要求1所述的半导体晶片，包括：

彼此相对的各个第一表面和第二表面；以及

设置在所述单晶碳化硅衬底上的多个结型场效应晶体管。

15.根据权利要求1所述的半导体晶片，包括：

彼此相对的各个第一表面和第二表面；以及

设置在所述单晶碳化硅衬底上的多个异质场效应晶体管。

16.根据权利要求1所述的半导体晶片，包括：

彼此相对的各个第一表面和第二表面；以及

设置在所述单晶碳化硅衬底上的多个二极管。

17.一种形成高质量的SiC单晶片的方法，该方法包括：

形成具有稍微大于约75毫米(3英寸)的直径的SiC晶梨；

其后，将所述晶梨切成具有小于约5μm的翘曲度、小于约5μm的弯曲度、以及小于约2.0μm的TTV的至少一个晶片；

然后，抛光所述晶片，以及

测量所述翘曲度、弯曲度和TTV。

18.根据权利要求17所述的方法，还包括磨光或者研磨所切的晶片，使得在所述晶片的每一侧上的表面下损伤程度基本上相同。

19.根据权利要求18所述的方法，包括用比显著弯曲所述晶片所需的力小的向下力研磨所述晶片。