[发明专利]显示器的制造方法无效
申请号: | 200680011009.6 | 申请日: | 2006-03-27 |
公开(公告)号: | CN101156244A | 公开(公告)日: | 2008-04-02 |
发明(设计)人: | 史蒂文·D·泰斯;保罗·F·博德;迈克尔·A·哈斯;埃里克·W·黑默施;刘尧奇;谢尔盖·A·拉曼斯凯 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙志湧;陆锦华 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示器 制造 方法 | ||
1.一种显示器的制备方法,该方法包括:
在显示器基板上图案化一组氧化锌沟道薄膜晶体管行和列驱动器;
在该显示器基板上图案化一组氧化锌沟道像素薄膜晶体管,该像素薄膜晶体管与薄膜晶体管行和列驱动器电连接;和
在该显示器基板上形成一组有机发光二极管,每个有机发光二极管包括第一电极、第二电极和位于第一电极和第二电极之间的发光材料,其中形成至少一个有机发光二极管包括:
提供与至少一个像素薄膜晶体管电连接的第一电极;
制备第一施主薄片,该第一施主薄片包括第一施主基板和包括第一发光材料的第一热转移层;
从第一施主薄片转移第一热转移层,其中第一热转移层被转移邻近于第一电极;和
淀积第二电极,其中第一热转移层位于第一电极和第二电极之间。
2.根据权利要求1的方法,其中施主薄片进一步包括位于施主基板和第一转移层之间的光热转换层。
3.根据权利要求2的方法,其中转移第一热层包括用辐射源加热该施主薄片。
4.根据权利要求2的方法,其中施主薄片进一步包括设置在光热转换层和第一热转移层之间的夹层。
5.根据权利要求1的方法,其中有机发光二极管的第一电极与至少一个薄膜晶体管的源或漏电极电连接。
6.根据权利要求1的方法,进一步包括:在与显示器基板相对的第一电极的表面上淀积缓冲层,其中第一电极和缓冲层两者都位于显示器基板和第一转移层之间。
7.根据权利要求6的方法,进一步包括:在缓冲层上淀积电荷传输层、电荷阻挡层、电荷注入层或其组合。
8.根据权利要求1的方法,其中施主薄片进一步包括第二热转移层,该第二热转移层包括电荷传输材料、电荷注入材料、电荷阻挡材料、缓冲材料或其组合,且其中第二热转移层与第一热转移层一起转移。
9.根据权利要求1的方法,进一步包括:
制备包括第二施主基板和第二热转移层的第二施主薄片;
从第二施主薄片转移第二热转移层,其中第二转移层位于第一电极和第二电极之间。
10.根据权利要求9的方法,其中第二热层包括电荷传输材料、电荷阻挡材料、电荷注入材料、缓冲材料或其组合。
11.根据权利要求9的方法,其中转移第一热转移层包括对第一和第二电极之间的第一区域的第一转移,而转移第二转移层包括对第一和第二电极之间的第二区域的第二转移,其中第一区域与第二区域不交叠。
12.根据权利要求11的方法,其中第二热转移层包括第二发光材料,其发出不同于第一发光材料的波长范围的光。
13.根据权利要求9的方法,其中转移第一热转移层包括对第一和第二电极之间的第一区域的第一转移,而转移第二转移层包括对第一和第二电极之间的第二区域的第二转移,其中第一区域与第二区域交叠。
14.根据权利要求13的方法,其中第二热转移层包括电荷传输材料、电荷阻挡材料、电荷注入材料、缓冲材料或其组合。
15.根据权利要求1的方法,其中在显示器基板上图案化该组氧化锌沟道薄膜晶体管行和列驱动器和图案化该组氧化锌沟道像素薄膜晶体管包括通过光刻形成。
16.根据权利要求1的方法,其中在显示器基板上图案化该组氧化锌沟道薄膜晶体管行和列驱动器和图案化该组氧化锌沟道像素薄膜晶体管包括利用聚合的孔径掩模。
17.根据权利要求1的方法,进一步包括:在行和列驱动器和像素薄膜晶体管上图案化密封层。
18.根据权利要求1的方法,进一步包括在第一和第二电极之间淀积第二层,该第二层包括电荷传输材料、电荷阻挡材料、电荷注入材料、缓冲材料或其组合。
19.根据权利要求18的方法,其中第二层利用聚合的孔径掩模而图案化。
20.根据权利要求1的方法,其中第一电极是透明的。
21.根据权利要求1的方法,其中第二电极是透明的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的