[发明专利]成膜装置、成膜方法和记录介质

权利要求书

1.一种成膜装置，其特征在于，包括：

在内部保持被处理基板的处理容器；

第一气体供给单元，向所述处理容器内供给由以叔丁氧基作为配体的烷氧基金属构成的第一气相原料；和

第二气体供给单元，向所述处理容器内供给由烷氧基硅原料构成的第二气相原料，其中，

所述第一气体供给单元和所述第二气体供给单元与使所述第一气相原料和所述第二气相原料预备反应的预备反应单元连接，将预备反应后的所述第一气相原料和所述第二气相原料供给至所述处理容器内。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：

所述预备反应单元设置有对所述第一气相原料和所述第二气相原料进行加热的加热单元。

3.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于：

所述加热单元以使从所述预备反应单元的导入所述第一气相原料和所述第二气相原料的第一侧向着排出所述第一气相原料和所述第二气相原料的第二侧具有温度梯度的方式，对所述第一气相原料和所述第二气相原料进行加热。

4.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：

该成膜装置具有压力调整单元，用于调整通过所述预备反应单元进行预备反应的所述第一气相原料和所述第二气相原料的压力。

5.根据权利要求4所述的成膜装置，其特征在于：

所述压力调整单元为流导调整单元，其被设置在将预备反应后的所述第一气相原料和所述第二气相原料供给至所述处理容器内的供给路径上。

6.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：

所述预备反应单元具有在内部混合所述第一气相原料和所述第二气相原料的螺旋线状的配管。

7.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：

所述预备反应单元具有在内部的反应空间中混合所述第一气相原料和所述第二气相原料的反应容器。

8.根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于：

所述反应空间与所述处理容器的内部空间分开构成。

9.根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于：

在所述反应容器的内壁面上形成有向该内壁面附近供给惰性气体的多个气体供给孔。

10.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：

所述第一气相原料由四叔丁氧铪构成，所述第二气相原料由原硅酸四乙酯构成。

11.根据权利要求10所述的成膜装置，其特征在于，包括：

加热单元，其被设置在所述预备反应单元上，用于加热所述第一气相原料和所述第二气相原料；和

控制单元，其用于对该加热单元进行控制，以将所述第一气相原料和所述第二气相原料加热到110℃～250C°。

12.一种成膜方法，其利用有机金属CVD法在硅基板上形成金属硅酸盐膜，其特征在于，包括：

第一步骤，通过使由以叔丁氧基作为配体的烷氧基金属构成的第一气相原料与由烷氧基硅原料构成的第二气相原料发生预备反应，生成用于成膜的前驱体；和

第二步骤，将所述前驱体供给至所述硅基板上以形成所述金属硅酸盐膜。

13.根据权利要求12所述的成膜方法，其特征在于：

在所述第一步骤中，对所述第一气相原料和所述第二气相原料进行加热。

14.根据权利要求12所述的成膜方法，其特征在于：

所述第一气相原料由四叔丁氧铪构成，所述第二气相原料由原硅酸四乙酯构成。

15.根据权利要求13所述的成膜方法，其特征在于：

所述第一气相原料由四叔丁氧铪构成，所述第二气相原料由原硅酸四乙酯构成，在所述第一步骤中，将该第一气相原料和该第二气相原料加热到110℃～250C°。