[发明专利]形成微型化吸气剂沉积层的方法以及由此制得的吸气剂沉积层有效
申请号: | 200680011659.0 | 申请日: | 2006-04-11 |
公开(公告)号: | CN101156227A | 公开(公告)日: | 2008-04-02 |
发明(设计)人: | M·莫拉加;A·孔特;S·瓜达尼沃洛 | 申请(专利权)人: | 工程吸气公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/004 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 任宗华 |
地址: | 意大*** | 国省代码: | 意大利;IT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 微型 吸气 沉积 方法 以及 由此 | ||
1.一种形成微型化吸气剂沉积物(131,131’,...;20)的浮脱方法,该方法包括下述步骤:
-在基体(10)上形成光敏聚合物材料层(11);
-对至少部分聚合物层进行选择性曝光,以导致在所述聚合物层部分中发生化学改性;
-用第一溶剂除去聚合物层中已在先曝光或未在先曝光部分之间仅一处,以在所述聚合物层中形成至少一个其底部壁是由基体表面构成的孔穴(12、12’,...);
-借助阴极沉积方法在所述孔穴的底部和所述未被第一溶剂除去的聚合物层部分上形成吸气剂材料薄层(13);以及
-用第二溶剂除去未被第一溶剂除去的所述聚合物部分,而在基体表面上至少留下吸气剂材料沉积物(131,131’,...;20);
该方法的特征在于:在阴极沉积操作之前不进行用于在聚合物层下部形成凹陷的操作或处理步骤,并且进行阴极沉积操作的室压为约1与5帕之间、比功率为每平方厘米实际上受等离子体作用的靶面积6-13瓦。
2.根据权利要求1的方法,其中实施阴极沉积时靶与基体之间的距离大于40毫米。
3.根据权利要求2的方法,其中所述距离为50与80毫米之间。
4.根据权利要求1的方法,其中在实施沉积时冷却基体。
5.根据权利要求1的方法,其中基体材料选自金属、陶瓷、玻璃、石英或半导体材料。
6.根据权利要求5的方法,其中所述材料是单晶硅或多晶硅。
7.根据权利要求1的方法,其中所述聚合物层(11)是通过在基体中心放置预定量的、包含在除去溶剂后能在基体上形成所述聚合物层的有机材料的溶液,使基体快速旋转,从而溶液铺展在基体上并使溶剂蒸发而形成的。
8.根据权利要求1的方法,其中所述聚合物层(11)是通过将包含能在溶剂除去后在基体上形成所述聚合物层的有机材料的溶液喷涂在基体上形成的。
9.根据权利要求1的方法,其中所述聚合物层(11)是由符合所需层的厚度和组成要求的聚合物膜借助受热辊均匀地粘合在基体表面上形成的。
10.根据权利要求1的方法,其中在实施阴极沉积时的室压为约1.5-4帕。
11.根据权利要求1的方法,其中在实施阴极沉积时基体表面并不与靶表面保持平行,而相对于靶表面保持移动。
12.根据权利要求1的方法,其中所沉积的吸气剂材料选自钛、含锆、钴和稀土元素的合金,或含锆、钒和/或钛的合金或化合物。
13.根据权利要求1的方法,其中在用第一溶剂在聚合物层中形成至少一个孔隙的步骤与通过阴极沉积法沉积吸气剂材料的步骤之间还包括对部分聚合物层进行热处理至温度有效地使聚合物硬化的步骤。
14.根据权利要求13的方法,其中所述温度为约100与150℃之间。
15.根据权利要求1的方法获得的具有微型化吸气剂沉积物(131,131’,...;20)的基体(10)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造