[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其特征是具有：

由氮化镓系化合物半导体构成的活性层；

与上述活性层相比设置在p层一侧，由受到拉伸变形的In_x1Al_y1Ga_1-x1-y1N(0≤x1≤1、0≤y1≤1)构成的第1半导体层；

由能带间隙比上述第1半导体层小的In_x2Al_y2Ga_1-x2-y2N(0≤x2≤1、0≤y2≤1)构成的第2半导体层；

位于上述第1半导体层和上述第2半导体层之间，由能带间隙比上述第1半导体层的能带间隙小、比上述第2半导体层的能带间隙大的In_x3Al_y3Ga_1-x3-y3N(0≤x3≤1、0≤y3≤1)构成的第3半导体层。

2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征是，上述第3半导体层实质上无变形。

3.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征是，上述第3半导体层受到拉伸变形。

4.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征是，x3＝0，0＜y2＜y3＜y1≤1。

5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体发光元件，其特征是，x1＝y2＝0，y1＞0.15。

6.如权利要求1、3、4中任一项所述的半导体发光元件，其特征是，x1＝x2＝0，y1-y2＞0.15。

7.如权利要求1、3、4中任一项所述的半导体发光元件，其特征是，x1＝x2＝x3＝0，{(y1+y2)/2}×0.7＜y3＜{(y1+y2)/2}×1.3。

8.如权利要求1至7中任一项所述的半导体发光元件，其特征是，上述第3半导体层的厚度大于等于1nm小于等于100nm。

9.如权利要求1至7中任一项所述的半导体发光元件，其特征是，上述第3半导体层的厚度大于等于1nm小于等于50nm。

10.如权利要求1至7中任一项所述的半导体发光元件，其特征是，上述第3半导体层的厚度大于等于1nm小于等于30nm。

11.如权利要求1至4、8至10中任一项所述的半导体发光元件，其特征是，x1＝0，0＜y1≤1。