[发明专利]二氧化硅系被膜形成用组合物有效
| 申请号： | 200680011763.X | 申请日： | 2006-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN101155887A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 饭田启之;高滨昌 | 申请（专利权）人： | 东京应化工业株式会社 |
| 主分类号： | C09D183/04 | 分类号： | C09D183/04;C09D7/12;C09D171/02;H01L21/312 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二氧化硅 系被膜 形成 组合 | ||
1.一种二氧化硅系被膜形成用组合物，其中，含有硅氧烷聚合物和碱金属化合物。
2.根据权利要求1所述的二氧化硅系被膜形成用组合物，其中，所述硅氧烷聚合物是下述通式(1)所示的化合物中的至少一种物质的水解缩合物，
RnSiX4-n (1)
式中，R表示H或者1价的有机基，X表示水解性基团，n表示0-2的整数，多个R可以相同也可以不同，多个X可以相同也可以不同。
3.根据权利要求1所述的二氧化硅系被膜形成用组合物，其中，所述碱金属化合物的加入量相对于硅氧烷聚合物为0.0001-100wt％。
4.根据权利要求1所述的二氧化硅系被膜形成用组合物，其中，所述碱金属化合物是选自钠、锂、钾、铷和铯的至少一种碱金属的化合物。
5.根据权利要求1所述的二氧化硅系被膜形成用组合物，其中，所述碱金属化合物是选自碱金属的硝酸盐、硫酸盐、碳酸盐、氧化物、氯化物、溴化物、氟化物、碘化物、氢氧化物的任何一种。
6.一种二氧化硅系被膜形成用组合物，其中，含有硅氧烷聚合物、碱金属化合物和空穴形成用材料。
7.根据权利要求6所述的二氧化硅系被膜形成用组合物，其中，所述硅氧烷聚合物是下述通式(1)所示的化合物中的至少一种物质的水解缩合物，
RnSiX4-n (1)
式中，R表示H或者1价的有机基，X表示水解性基团，n表示0-2的整数，多个R可以相同也可以不同，多个X可以相同也可以不同。
8.根据权利要求7所述的二氧化硅系被膜形成用组合物，其中，所述通式(1)所示的化合物至少包含所述通式(1)中n＝0的化合物。
9.根据权利要求6所述的二氧化硅系被膜形成用组合物，其中，所述碱金属化合物的加入量相对于硅氧烷聚合物为1-1000000ppm。
10.根据权利要求6所述的二氧化硅系被膜形成用组合物，其中，所述碱金属化合物是选自钠、锂、钾、铷和铯的至少一种碱金属的化合物。
11.根据权利要求6所述的二氧化硅系被膜形成用组合物，其中，所述碱金属化合物包含铷化合物或铯化合物。
12.根据权利要求6所述的二氧化硅系被膜形成用组合物，其中，所述碱金属化合物是选自碱金属的硝酸盐、硫酸盐、碳酸盐、氧化物、氯化物、溴化物、氟化物、碘化物、氢氧化物的任何一种。
13.根据权利要求6所述的二氧化硅系被膜形成用组合物，其中，所述空穴形成用材料是选自聚亚烷基二醇及其末端烷基化物的一种以上。
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