[发明专利]封装电子组件的生产方法和封装电子组件

权利要求书

1.一种生产带有集成功能元件(3)的封装电子组件(15)的方法，包括下述步骤：

a)提供安装基片(1)和覆盖基片(6)，

b)在预定网格区(2)内，将所述功能元件(3)装配到所述安装基片(1)上，

c)在所述网格区(2)之间延伸的预定网格带(8)内，将接合元件(4)装配到所述安装基片(1)上，在所述功能元件(3)和所述接合元件(4)之间产生连接触点(5)，

d)将由玻璃构成的微框架结构(7)装配到所述覆盖基片(6)的下表面和/或所述安装基片(1)的上表面，并且对应于所述网格区(2)产生空腔(11)，对应于所述网格带(8)产生通道(17)，

e)通过去除表面区，至少在所述覆盖基片(6)的上表面上，或者至少在所述覆盖基片(6)的下表面上引入宏结构，并且对应于所述安装基片(1)上的网格带(8)产生沟槽(9)，

f)将所述安装基片(1)和覆盖基片(6)结合起来，形成复合基片，并且所述功能元件(3)被封装，和

g)沿着所述网格带(8)内的预定轨迹分离所述复合基片，所述复合基片被分成单个的组件(15)，同时所述分离组件(15)的接合元件(4)被暴露。

2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，以所述安装基片(1)的形式提供半导体晶片。

3.按照权利要求2所述的方法，其特征在于，以所述安装基片(1)的形式提供由硅构成的半导体晶片。

4.按照前述任何一个权利要求所述的方法，其特征在于，所述功能元件(3)的装配包括活性半导体功能元件(3)的装配。

5.按照前述任何一个权利要求所述的方法，其特征在于，所述功能元件(3)的装配包括活性传感器功能元件(3)的装配。

6.按照前述任何一个权利要求所述的方法，其特征在于，所述功能元件(3)的装配包括光学活性功能元件(3)的装配。

7.按照前述任何一个权利要求所述的方法，其特征在于，以所述覆盖基片(6)的形式提供厚度500-1000微米的扁平半导体、塑料、陶瓷或金属晶片。

8.按照前述任何一个权利要求所述的方法，尤其是按照权利要求6所述的方法，其特征在于，以所述覆盖基片(6)的形式提供厚度500-1000微米的扁平玻璃块。

9.按照前述任何一个权利要求所述的方法，其特征在于，以1-500微米，最好80-100微米的宽度应用所述微框架结构(7)的框架网。

10.按照前述任何一个权利要求所述的方法，其特征在于，以1-1000微米，最好3-10微米的高度应用所述微框架结构(7)的框架网。

11.按照前述任何一个权利要求所述的方法，其特征在于，所述微框架结构(7)的装配包含下述步骤：

-装配提供微所述框架结构(7)的负像的掩膜，

-气相沉积玻璃层，和

-借助升离技术去除所述掩膜。

12.按照前述任何一个权利要求所述的方法，其特征在于，在所述宏结构中引入宽度5-1000微米，最好200-500微米的沟槽(9)。

13.按照前述任何一个权利要求所述的方法，其特征在于，在所述宏结构中的沟槽(9)的区域中，所述覆盖基片(6)的厚度被减小10-80％。

14.按照前述任何一个权利要求所述的方法，其特征在于，在所述覆盖基片(6)的上表面和下表面上引入所述沟槽(9)。

15.按照权利要求12或13所述的方法，其特征在于，通过借助蚀刻、喷沙或超声波振荡研磨，去除所述覆盖基片(6)的表面区，引入宏结构。

16.按照前述任何一个权利要求所述的方法，其特征在于，所述微框架结构(7)被装配到所述覆盖基片(6)的下表面上。

17.按照权利要求16所述的方法，其特征在于，在所述微框架结构(7)上应用最好由环氧树脂构成的粘合层，所述安装基片(1)的上表面和在所述覆盖基片(6)的下表面上的微框架结构(7)粘合，从而形成复合基片。

18.按照前述任何一个权利要求所述的方法，其特征在于，所述微框架结构(7)被装配到所述安装基片(1)的上表面上。