[发明专利]背接触式太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种制造太阳能电池(1、12、26)的方法，包括以下步骤：

-提供具有衬底正面(8、17)和衬底背面(3；14；28)的半导体衬底(2；13；27)；

-在所述衬底背面(3；14；28)上形成第一(4)和第二区域(6；20；32)，其中，在每种情况下，所述各区域基本上相对于所述衬底正面(8；17)平行；和形成将所述第一区域(4；18)与所述第二区域(6；20；32)隔离的倾斜侧面(5；19；31)；

-至少在所述衬底背面(3；14；28)的部分区域上沉积金属层(10；24；37)；

-至少在第一金属层(10；24；37)的部分区域上沉积蚀刻阻挡层(11；25；38)，其中，所述蚀刻阻挡层(11；25；38)基本能够抵抗蚀刻所述金属层的蚀刻剂；

-蚀刻至少部分区域中的所述金属层(10；24；37)，其中，所述倾斜侧面(5；19；31)上的所述金属层(10；24；37)基本上被去除。

2.根据权利要求1的方法，其中，所述蚀刻阻挡层(11；25；38)是可钎焊的。

3.根据权利要求1或2的方法，其中，所述蚀刻阻挡层(11；25；38)包含银和/或铜。

4.根据权利要求1、2或3的方法，其中，所述倾斜侧面(5；19；31)的所述形成是使得所述倾斜侧面相对于所述衬底正面(8；17)成至少60°的角度。

5.根据权利要求1～4中的任一项的方法，其中，沉积所述蚀刻阻挡层(11；25；38)在相对于所述衬底正面(8；17)基本垂直的方向上定向进行。

6.根据权利要求1～5中的任一项的方法，其中，沉积所述蚀刻阻挡层(11；25；38)通过气相沉积或通过溅射进行。

7.根据权利要求1～6中的任一项的方法，其中，形成所述侧面(5；19；31)利用激光进行。

8.根据权利要求1～7中的任一项的方法，其中，形成所述第一区域(4)利用激光进行。

9.根据权利要求1～8中的任一项的方法，其中，进行所述第一区域(4)的形成，使得所述第一区域比所述第二区域(6；20；32)更接近所述衬底正面(8；17)。

10.根据权利要求1～9中的任一项的方法，还包括以下步骤：在形成所述第一和第二区域之前，在所述衬底背面(3；14；28)上形成介电层(49；21；34)，其中，在形成所述第一区域(4)的过程中，在所述第一区域(4)中局部去除所述介电层(49；21；34)。

11.根据权利要求1～10中的任一项的方法，还包括以下步骤：在所述衬底正面(8；17)上以及在所述衬底背面(3；14；28)的第一区域(4)中形成掺杂的发射极层(9；15；29)。

12.根据权利要求1～11中的任一项的方法，还包括以下步骤：形成将所述衬底背面(8；17)的第一区域(4)连接到所述衬底正面(3；14；28)的发射极掺杂的连接沟道(7；16)。

13.根据权利要求1～12中的任一项的方法，其中，在所述第一区域(4)和所述第二区域(6；20；32)之间形成几个侧面(5；19；31)。

14.一种太阳能电池(1；12；26)，包括：

-具有衬底正面(8；17)和衬底背面(3；14；28)的半导体衬底(2；13；27)；

-所述衬底背面(3；14；28)上的第一掺杂类型的基极区域(6；20；32)；所述衬底背面(3；14；28)上的第二掺杂类型的发射极区域(4)；和所述衬底正面(8)上的第二掺杂类型的发射极区域(9)，其中，所述衬底背面上的基极区域和发射极区域被配置为相对于所述区域倾斜的侧面区域(5；19；31)所隔离；

-至少在部分区域中电接触所述基极区域(6；20；32)的基极接触(45)和至少在部分区域中电接触所述衬底背面上的发射极区域(4)的发射极接触(43)，其中，所述基极接触(45)和所述发射极接触(43)各自包含接触所述半导体衬底的第一金属层(10)，该金属层(10)延伸以相对于所述衬底正面基本平行，其中，所述侧面区域(5；19；31)不包含金属层，使得所述发射极接触(43)和所述基极接触(45)电隔离。