[发明专利]研磨组合物无效
申请号: | 200680012069.X | 申请日: | 2006-04-14 |
公开(公告)号: | CN101160644A | 公开(公告)日: | 2008-04-09 |
发明(设计)人: | 鱼谷信夫;高桥浩;佐藤孝志;佐藤元 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 段承恩;田欣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 研磨 组合 | ||
1.一种研磨组合物,其特征在于,含有:
(A)分子中具有3个以上唑基的分子量为300~15000的含唑基化合物;
(B)氧化剂;
(C)选自氨基酸、有机酸、无机酸中的1种或2种以上的酸。
2.如权利要求1所述的研磨组合物,所述含唑基化合物的分子量为2000~8000。
3.如权利要求1或2所述的研磨组合物,所述含唑基化合物是含有具有乙烯基的唑单元的聚合物。
4.如权利要求1~3的任一项所述的研磨组合物,所述含唑基化合物的含量为0.001~1质量%。
5.如权利要求1~4的任一项所述的研磨组合物,所述含唑基化合物的每一个唑基的分子量为90~300。
6.如权利要求1~5的任一项所述的研磨组合物,进一步含有研磨材料。
7.如权利要求6所述的研磨组合物,所述研磨材料的含量为30质量%以下。
8.如权利要求1~7的任一项所述的研磨组合物,进一步含有碳原子数为8以上的烷基芳香族磺酸。
9.如权利要求8所述的研磨组合物,所述烷基芳香族磺酸的含量为0.5质量%以下。
10.如权利要求1~9的任一项所述的研磨组合物,进一步含有具有碳原子数为8以上的烷基的磷酸酯。
11.如权利要求10所述的研磨组合物,所述具有碳原子数为8以上的烷基的磷酸酯的含量为0.5质量%以下。
12.如权利要求1~11的任一项所述的研磨组合物,进一步含有碳原子数为8以上的脂肪酸。
13.如权利要求12所述的研磨组合物,所述脂肪酸的含量为0.5质量%以下。
14.如权利要求1~13的任一项所述的研磨组合物,进一步含有防腐蚀剂。
15.如权利要求14所述的研磨组合物,所述防腐蚀剂的含量为0.5质量%以下。
16.如权利要求1~15的任一项所述的研磨组合物,进一步含有碱。
17.如权利要求1~16的任一项所述的研磨组合物,pH为5~11。
18.如权利要求1~17的任一项所述的研磨组合物,进一步含有非离子性的水溶性聚合物。
19.如权利要求18所述的研磨组合物,所述非离子性的水溶性聚合物是乙烯醇、乙烯基吡咯烷酮、丙烯酰基吗啉、或N-异丙基丙烯酰胺的聚合物或它们的组合的共聚物。
20.如权利要求18或19所述的研磨组合物,所述非离子性的水溶性聚合物的含量为5质量%以下。
21.如权利要求18~20的任一项所述的研磨组合物,所述非离子性的水溶性聚合物的分子量为3000~100000。
22.如权利要求1~21的任一项所述的研磨组合物,用于研磨:在具有凹部的基板上埋入以便覆盖凹部的金属膜、或在具有凹部的基板上形成的阻挡金属膜及被埋入以便覆盖凹部的金属膜。
23.一种基板的研磨方法,使用权利要求1~21的任一项所述的研磨组合物,将下述膜平坦化,所述膜为:在具有凹部的基板上埋入以便覆盖凹部的金属膜、或在具有凹部的基板上形成的阻挡金属膜及被埋入以便覆盖凹部的金属膜。
24.如权利要求23所述的基板的研磨方法,使所述研磨组合物的温度为30℃~50℃而进行平坦化。
25.如权利要求23或24所述的研磨方法,所述金属膜为铜或含铜合金。
26.如权利要求23~25的任一项所述的研磨方法,所述阻挡金属膜为钽或钽合金。
27.一种基板的制造方法,包括采用权利要求23~26的任一项所述的研磨方法研磨基板的工序。
28.一种组合物,是经稀释可变成权利要求4、7、9、11、13和15的任一项所述的研磨组合物的组合物。
29.一种使用权利要求28所述的组合物作为输送或保存用组合物的方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造