[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
申请号: | 200680012103.3 | 申请日: | 2006-04-14 |
公开(公告)号: | CN101160649A | 公开(公告)日: | 2008-04-09 |
发明(设计)人: | 广本秀树;藤井贞雅;山口恒守 | 申请(专利权)人: | 罗姆股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 朱进桂 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置,半导体芯片被芯片接合到岛部表面,第一引线的一端被引线接合到形成于上述半导体芯片的表面的电极而形成第一接合部,并且上述第一引线的另一端被引线接合到上述岛部而形成第二接合部,而且该半导体装置被树脂密封,
在被引线接合到上述岛部上的上述第一引线的上述第二接合部上,设置有通过引线接合第二引线来形成的双重接合部。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
上述双重接合部通过球焊所形成。
3.一种半导体装置的制造方法,该半导体装置,将被芯片接合到岛部的半导体芯片上的电极与上述岛部通过引线接合来连接,
该方法具备:
第一接合工序,将第一引线的一端引线接合到上述电极,形成第一接合部;
第二接合工序,将上述第一引线的另一端引线接合到上述岛部,形成第二接合部;和
双重接合工序,在被接合到上述岛部的上述第一引线的上述第二接合部上接合第二引线的一端,形成双重接合部。
4.根据权利要求3所述半导体装置的制造方法,其特征在于,
在上述双重接合工序中,通过球焊形成上述双重接合部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造