[发明专利]金属基电路基板、LED及LED光源单元

权利要求书

1.金属基电路基板，它是交错层叠有绝缘层和导体电路或金属箔的电路基板，其特征在于，导体电路或金属箔的厚度为5μm～450μm，绝缘层由含有无机填料和热固化性树脂的树脂组合物的固化体形成，前述绝缘层的厚度为9μm～300μm。

2.如权利要求1所述的金属基电路基板，其特征在于，用于电连接导体电路或金属箔的通孔中的至少1个在0.0078mm²以上。

3.如权利要求1或2所述的金属基电路基板，其特征在于，绝缘层的热导率为1～4W/mK。

4.如权利要求1～3中的任一项所述的金属基电路基板，其特征在于，绝缘层的玻璃化温度为0～40℃。

5.如权利要求1～4中的任一项所述的金属基电路基板，其特征在于，绝缘层为含有25～60体积％热固化性树脂且其余部分由钠离子浓度在500ppm以下的无机填料构成的树脂组合物的固化体，所述无机填料由最大粒径75μm以下的平均粒径5～40μm的球状粗粒和平均粒径0.3～3.0μm的球状微粒构成。

6.如权利要求1～5中的任一项所述的金属基电路基板，其特征在于，热固化性树脂含有经氢化的双酚F型和/或A型的环氧树脂。

7.如权利要求6所述的金属基电路基板，其特征在于，热固化性树脂含有环氧当量800～4000的直链状的环氧树脂。

8.如权利要求6或7所述的金属基电路基板，其特征在于，热固化性树脂含有作为固化剂的聚氧化烯多胺。

9.如权利要求6～8中的任一项所述的金属基电路基板，其特征在于，热固化性树脂中的氯化物离子浓度在500ppm以下。

10.如权利要求1～9中的任一项所述的金属基电路基板，其特征在于，将该电路基板在任意位置以1～5mm的曲率半径弯折90°以上时，导体电路或金属箔的各层间的耐电压在1.0kV以上。

11.如权利要求1～10中的任一项所述的金属基电路基板，其特征在于，在金属箔上隔着绝缘层设置导体电路，再设置厚度为5μm～25μm的被覆层而成，被覆层的至少一部分被除去而形成的缝隙形成于未设置前述导体电路的部分。

12.如权利要求11所述的金属基电路基板，其特征在于，前述缝隙被加工成相对于弯折部分的长度为50％～95％。

13.如权利要求11或12所述的金属基电路基板，其特征在于，前述被覆层的厚度为5μm～25μm。

14.如权利要求11～13中的任一项所述的金属基电路基板，其特征在于，在前述缝隙部弯折。

15.如权利要求11～14中的任一项所述的金属基电路基板，其特征在于，绝缘层表面以0.1～0.5mm的曲率半径弯折90°以上。

16.如权利要求11～15中的任一项所述的金属基电路基板，其特征在于，在被覆层的表面上层叠有具有磁性损耗的层或具有介电损耗的层。

17.如权利要求11～16中的任一项所述的金属基电路基板，其特征在于，具有磁性损耗的层由纵横比在2以上的磁性材料和有机粘结材料形成，前述磁性材料的含量为30～70体积％，而且该具有磁性损耗的层的厚度为3μm～50μm。

18.如权利要求11～16中的任一项所述的金属基电路基板，其特征在于，具有磁性损耗的层由比表面积为20～110m²/g的碳粉和有机粘结材料形成，前述碳粉的含量为5～60体积％，该具有磁性损耗的层的厚度为3μm～50μm。

19.混合集成电路，其特征在于，使用权利要求1～10中的任一项所述的金属基电路基板。

20.LED，其特征在于，在权利要求11～18中的任一项所述的金属基电路基板的导体电路上电连接至少1个LED而成。

21.LED光源单元，其特征在于，将权利要求1～18中的任一项所述的金属基电路基板通过粘胶带配置于盒体表面，并且在前述金属基电路基板的导体电路上搭载1个以上的发光二极管而成。

22.如权利要求21所述的LED光源单元，其特征在于，粘胶带的热导率为1～2W/mK，厚度为50μm～150μm。