[发明专利]高可靠性的蚀刻小面光子器件无效
| 申请号： | 200680012475.6 | 申请日： | 2006-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN101160699A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | A·A·贝希尔 | 申请（专利权）人： | 宾奥普迪克斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 可靠性 蚀刻 光子 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种光子器件，包括：
基板；
包含有源层的至少第一外延半导体结构；
制造于所述结构中的至少第一蚀刻小面；
在所述结构上的至少第一电极；以及
覆盖所述半导体结构在所述有源区处的所述小面的750nm范围内的所有表面的保护层。
2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述保护层是电介质或金属。
3.如权利要求2所述的器件，其特征在于，所述小面是通过诸如化学辅助离子束蚀刻的干蚀工序形成。
4.如权利要求2所述的器件，其特征在于，所述基板是InP。
5.如权利要求2所述的器件，其特征在于，所述基板是GaAs。
6.如权利要求2所述的器件，其特征在于，所述基板是GaN。
7.如权利要求2所述的器件，其特征在于，所述器件是激光器。
8.如权利要求2所述的器件，其特征在于，所述器件是电吸附调制器。
9.如权利要求2所述的器件，其特征在于，所述器件是半导体光学放大器。
10.如权利要求7所述的器件，其特征在于，所述激光器是脊形激光器。
11.一种制造光子器件的工序，包括：
在基板上形成包含有源层的外延半导体结构；
干蚀所述结构以形成具有至少一个小面的激光器；
用保护性共形层覆盖所述激光器和所述小面；
在所述保护层中开启一触点窗；以及
沉积一金属层以覆盖所述窗口并电气接触所述激光器。
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