[发明专利]芳族聚合物的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及芳族聚合物的制备方法。

背景技术

芳族聚合物在电学特性、光学特性、耐热性、力学特性等方面具有优异的特性，已知可用作导电材料、光电转换材料、发光材料、非线性光学材料、电池用材料、电子部件材料、汽车用材料等先端功能材料。

已知其制备方法有通过芳族化合物的缩聚进行制备的方法(Chem.Rev.102，1359(2002))。

但是，上述方法难以获得高分子量且有狭窄分子量分布的芳族聚合物。

发明内容

本发明的目的在于提供高分子量且分子量分布狭窄的芳族聚合物的制备方法。

即，本发明提供芳族聚合物的制备方法，其特征在于：在含有下式(II)所示膦化合物的钯络合物存在下，将下式(I)所示的芳族化合物进行缩聚：

MY_nAr-X       (I)

[式中，Ar是含有芳环的双官能性有机基团，X是卤素原子、硝基或-SO₃Q所示的基团(其中，Q表示可被取代的烃基)，Y是氧原子、硫原子、亚氨基、取代亚氨基、亚乙烯基、取代亚乙烯基或亚乙炔基，n为0或1，M表示氢原子、-B(OQ¹)₂、-Si(Q²)₃、-Sn(Q³)₃或Z¹(Z²)_m，(其中，Q¹为氢原子或烃基，两个Q¹可以相同也可以不同，可以形成环，Q²为烃基，三个Q²可以相同也可以不同，Q³为烃基，三个Q³可以相同也可以不同，Z¹为金属原子或金属离子，Z²为抗衡阴离子，m为0以上的整数)；

P(R¹)₃          (II)

(式中，R¹为下式(III)所示的基团或下式(IV)所示的基团，三个R¹可以相同也可以不同，但三个R¹中的至少一个为下式(III)所示的基团；

-C(R²)₃         (III)

(式中，R²为氢原子或可被取代的烃基，三个R²可以相同也可以不同，两个R²可以一起形成环，两个以上的R²不为氢原子)；

(式中，R³～R⁷各自独立，表示氢原子、可被取代的烃基、可被取代的烃氧基、可被取代的烃二取代氨基、可被取代的烃巯基、可被取代的烃羰基、可被取代的烃氧基羰基、可被取代的烃二取代氨基羰基或可被取代的烃磺酰基，R³或R⁴中的至少一个不为氢原子，R³和R⁵、R⁵和R⁷、R⁴和R⁶以及R⁶和R⁷可以分别一起形成环)]。

实施发明的最佳方式

本发明是芳族聚合物的制备方法，该方法是在含有上述通式(II)所示膦化合物的钯络合物存在下，使上述通式(I)所示的芳族化合物进行缩聚。