[发明专利]含有半导体纳米晶体的发光器件

权利要求书

1.发光器件，包括：

包括第一无机材料的第一电荷传输层，其与第一电极接触，该第一电极被布置以在该第一电荷传输层中引入电荷；

第二电极；和

布置在该第一电极和第二电极之间的多个半导体纳米晶体。

2.如权利要求1所述的发光器件，进一步包括与该第二电极接触的第二电荷传输层，其中第二电极被布置以在该第二电荷传输层中引入电荷。

3.如权利要求1所述的发光器件，其中该第一无机材料是无定形的或多晶的。

4.如权利要求1所述的发光器件，其中该第一无机材料是无机半导体。

5.如权利要求4所述的发光器件，其中该无机半导体包括金属硫族化物。

6.如权利要求5所述的发光器件，其中该金属硫族化物是混合的金属硫族化物。

7.如权利要求5所述的发光器件，其中该金属硫族化物包括氧化锌、氧化钛、氧化铌、硫化锌、氧化铟锡、或其混合物。

8.如权利要求1所述的发光器件，其中该第二电荷传输层包括第二无机材料。

9.如权利要求8所述的发光器件，其中该第二无机材料是无定形的或多晶的。

10.如权利要求8所述的发光器件，其中该第二无机材料是无机半导体。

11.如权利要求10所述的发光器件，其中该无机半导体包括金属硫族化物。

12.如权利要求11所述的发光器件，其中该金属硫族化物是混合的金属硫族化物。

13.如权利要求11所述的发光器件，其中该金属硫族化物包括氧化锌、氧化钛、氧化铌、硫化锌、氧化铟锡、或其混合物。

14.如权利要求1所述的发光器件，其中该第一电荷传输层是空穴传输层。

15.如权利要求1所述的发光器件，其中该第一电荷传输层是电子传输层。

16.如权利要求1所述的发光器件，其中该多个半导体纳米晶体形成单层。

17.如权利要求1所述的发光器件，其中该多个半导体纳米晶体是半导体纳米晶体的基本上单分散群体。

18.如权利要求1所述的发光器件，其中该多个半导体纳米晶体以图案排列。

19.如权利要求1所述的发光器件，其中该器件是透明的。

20.制备发光器件的方法，包括：

将含有第一无机材料的第一电荷传输层沉积到电极上；和

在该电极上沉积多个半导体纳米晶体；

其中，该多个纳米晶体与该第一电荷传输层电接触。

21.如权利要求20所述的方法，其中沉积多个半导体纳米晶体包括将多个半导体纳米晶体沉积作为单层。

22.如权利要求20所述的方法，其中沉积多个半导体纳米晶体包括形成图案。

23.如权利要求20所述的方法，其中沉积第一无机材料包括溅射。

24.如权利要求23所述的方法，其中该第一无机材料是无机半导体。

25.如权利要求24所述的方法，其中该无机半导体材料包括金属硫族化物。

26.如权利要求25所述的方法，其中该金属硫族化物是混合的金属硫族化物。

27.如权利要求26所述的方法，其中该金属硫族化物包括氧化锌、氧化钛、氧化铌、硫化锌、氧化铟锡、或其混合物。

28.如权利要求20所述的方法，进一步包括：将含有第二无机材料的第二电荷传输层沉积到电极上；

其中，该多个纳米晶体与该第二电荷传输层电接触。

29.如权利要求28所述的方法，其中沉积第二无机材料包括溅射。

30.如权利要求29所述的方法，其中该第二无机材料是无机半导体。

31.如权利要求30所述的方法，其中该无机半导体材料包括金属硫族化物。

32.如权利要求31所述的方法，其中该金属硫族化物是混合的金属硫族化物。