[发明专利]获得用于具有非常短余辉的CT的Gd2O2S∶Pr的方法有效
| 申请号： | 200680013000.9 | 申请日： | 2006-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN101163774A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | C·R·朗达;G·泽特勒;D·沃多;H·韦科雷克;H·施赖尼马彻 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/77 | 分类号： | C09K11/77;G21K4/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 龚海军;谭祐祥 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 获得 用于 具有 非常 余辉 ct gd sub pr 方法 | ||
1.一种具有非常短余辉的Gd2O2S:M荧光陶瓷材料，其特征在于，M代表从包含Pr、Tb、Yb、Dy、Sm和/或Ho的组合中选择的至少一个元素，所述Gd2O2S:M荧光陶瓷材料包括附加的：
铕≤1wt.ppm，基于Gd2O2S以及
铈≥0.1wt.ppm并≤100wt.ppm，基于Gd2O2S，其中铈的含量超过铕的含量，且铕对铈的比例为1∶10到1∶150。
2.根据权利要求1的Gd2O2S:M荧光陶瓷材料，其中
将Gd2O2S:M荧光陶瓷材料中铕和铈的含量调整为铕对铈比例为1∶20到1∶100，优选为1∶25到1∶75，更优选为1∶20到1∶50，最优选为约1∶25。
3.根据权利要求1或2的Gd2O2S:M荧光陶瓷材料，其中
Gd2O2S:M荧光陶瓷材料的余辉是在0.5s时＞0ppm且0.5s时≤80ppm，优选为0.5s时≥15ppm且0.5s时≤25ppm。
4.根据权利要求1到3的Gd2O2S:M荧光陶瓷材料，其中
Gd2O2S:M荧光陶瓷材料在它自己发射的波长大约515nm处的透光率是10％到70％，层厚度为1.6mm。
5.一种含钆色素粉末，用于制造根据权利要求1到4的Gd2O2S:M荧光陶瓷材料，其中所述Gd色素粉末材料包括附加的：
铕≤1wt.ppm，基于Gd2O2S以及
铈≥0.1wt.ppm并≤100wt.ppm，基于Gd2O2S，其中
铈的含量超过铕的含量，并且/或者将Gd色素粉末中的铕的含量和铈的含量调整为铕对铈的比例为1∶10到1∶150，其中所述含钆色素粉末优选从包括Gd2O3、Gd2O2S和/或Gd2O2S:M的组合中选择。
6.一种制造含钆色素粉末的方法，该含钆色素粉末用于制造根据权利要求1到4的Gd2O2S:M荧光陶瓷材料，该方法包括步骤：
a)检测所述含钆色素粉末中的铕含量；
b)增加超过铕含量的铈，使得所述含量：
铕被证实≤1wt.ppm，基于Gd2O2S以及
铈≥0.1wt.ppm并≤100wt.ppm，基于Gd2O2S，
其中铈的含量超过铕的含量，将含钆色素粉末中的铕和铈的含量调整为铕对铈的比例为1∶10到1∶150。
7.根据权利要求6制造被铕污染的含钆色素粉末的方法，其中
所述被铕污染的含钆色素粉末从包括Gd2O3、Gd2O2S和/或Gd2O2S:M的组合中选择。
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