[发明专利]半导体装置、具有该半导体装置的显示装置及电子设备有效

专利信息
申请号: 200680013041.8 申请日: 2006-04-10
公开(公告)号: CN101164094A 公开(公告)日: 2008-04-16
发明(设计)人: 纳光明;宫崎彩 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G09G3/30 分类号: G09G3/30;G09G3/20;G09F9/30;H01L29/786
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王岳;刘宗杰
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 具有 显示装置 电子设备
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

发光元件;

扫描线;

数据线;

电流供应线;

第一晶体管,其源极和漏极之一被连接至所述电流供应线,其源极和漏极中的另一个被连接至所述发光元件的一个电极;

第二晶体管,其栅极被连接至所述数据线,其源极和漏极之一被连接至所述扫描线,其源极和漏极中的另一个被连接至所述第一晶体管的栅极;以及

第三晶体管,其栅极以及源极和漏极之一被连接到所述扫描线,其源极和漏极中的另一个被连接到所述第二晶体管的所述的源极和漏极中的另一个。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,

其中,所述第一晶体管为P沟道晶体管,所述第二晶体管和所述第三晶体管为N沟道晶体管。

3.一种半导体装置,包括:

发光元件;

扫描线;

数据线;

电流供应线;

第一晶体管,其源极和漏极之一被连接至所述电流供应线,其源极和漏极中的另一个被连接至所述发光元件的一个电极;

第二晶体管,其栅极被连接至所述数据线,其源极和漏极之一被连接至所述扫描线,其源极和漏极中的另一个被连接至所述第一晶体管的栅极;以及

二极管,其一个电极被连接至所述扫描线,其另一个电极被连接至所述第二晶体管的所述的源极和漏极中的另一个。

4.根据权利要求3所述的半导体装置,

其中,所述第一晶体管为P沟道晶体管,所述第二晶体管为N沟道晶体管。

5.根据权利要求1或3所述的半导体装置,还包括电容器,

其中,所述电容器包括连接至所述第一晶体管的所述栅极的一个电极和连接至所述电流供应线的另一个电极。

6.根据权利要求1或3所述的半导体装置,  还包括用于控制所述第二晶体管的所述的源极和漏极中的另一个与所述第一晶体管的所述栅极之间的电连接或断开的开关。

7.根据权利要求1或3所述的半导体装置,

其中,所述电流供应线的电势高于所述发光元件的所述另一个电极的电势。

8.一种半导体装置,包括:

发光元件;

扫描线;

数据线;

电流供应线;

节点;

第一晶体管,其栅极被连接至所述节点,其源极和漏极之一被连接至所述电流供应线,其源极和漏极中的另一个被连接至所述发光元件的一个电极;以及

第二晶体管,其根据所述数据线和所述扫描线的电势导通或截止,并且其决定着所述节点的电势,

其中,将所述节点的电势设置为在不取决于所述数据线的电势的情况下使所述第一晶体管截止的电势。

9.根据权利要求8所述的半导体装置,

其中,将所述第二晶体管的栅极连接至所述数据线,将所述第二晶体管的源极和漏极之一连接至所述扫描线,将所述源极和漏极中的另一个连接至所述节点。

10.根据权利要求8所述的半导体装置,

其中,所述电流供应线的电势高于所述发光元件的所述另一个电极的电势。

11.根据权利要求8所述的半导体装置,

其中,所述第一晶体管为P沟道晶体管,所述第二晶体管为N沟道晶体管。

12.一种半导体装置,包括:

发光元件;

扫描线;

数据线;

电流供应线;

第一节点;

第二节点;

第一晶体管,其栅极被连接至所述第一节点,其源极和漏极之一被连接至所述电流供应线,其源极和漏极中的另一个被连接至所述发光元件的一个电极;

第二晶体管,其根据所述数据线和所述扫描线的电势导通或截止,并且其决定着所述第二节点的电势;以及

开关,其用于控制所述第一节点和所述第二节点之间的电连接或断开,

其中,将所述第二节点的电势设置为在不取决于所述数据线的电势的情况下使所述第一晶体管截止的电势。

13.根据权利要求12所述的半导体装置,

其中,将所述第二晶体管的栅极连接至所述数据线,将所述第二晶体管的源极和漏极之一连接至所述扫描线,将所述源极和漏极中的另一个连接至所述第二节点。

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