[发明专利]相对于光刻部件间距减小的图案

权利要求书

1.一种集成电路制造方法，其包含：

在衬底上方形成多个心轴；

在所述心轴的侧壁上形成隔离物；

相对于所述隔离物选择性地移除所述心轴，以形成由所述隔离物界定的隔离物图案；

在所述隔离物周围沉积平坦化材料，以形成平坦上表面；

在所述平坦化材料中形成图案；

将所述隔离物图案和所述平坦化材料中的图案转移到下伏的上部硬掩模层中，以在所述上部硬掩模层中形成合并的图案；

将所述合并图案转移到下伏的下部硬掩模层中；以及

将所述合并图案转移到上覆于所述衬底的非晶碳层中。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在所述平坦化材料中形成所述图案之后且在将所述隔离物图案和所述平坦化材料中的图案转移到所述下伏的上部硬掩模层中之前从暴露表面剥离有机材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含将所述合并图案转移到所述衬底中。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述多个心轴包含：

在光阻层中用光刻界定对应于所述心轴的部件；以及

将由所述部件形成的图案转移到下伏于所述光阻层的临时层，其中转移由所述部件形成的所述图案在所述临时层中界定所述心轴。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在所述平坦化材料中形成所述图案包含：在所述平坦上表面上方沉积光阻层；

图案化所述光阻层；以及

将所述光阻层中的图案转移到所述平坦化材料。

6.一种用于形成集成电路的方法，其包含：

在衬底上方形成非晶碳层；

在所述非晶碳层上方形成下部硬掩模层；

在所述下部硬掩模层上形成上部硬掩模层；

在所述上部硬掩模层上方形成临时层；以及

在所述临时层上方形成第一硬掩模层。

7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包含在所述第一硬掩模层上方沉积光阻层以及在所述光阻层中形成光阻图案。

8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包含将所述光阻图案转移到所述第一硬掩模层。

9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包含将所述光阻图案转移到所述临时层以在所述临时层中形成多个部件和空隙。

10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包含在所述临时层部件的侧壁上形成隔离物。

11.根据权利要求10所述的方法，其中形成隔离物包含：

在所述临时层的部件周围和上方沉积隔离物材料层；以及

各向异性地蚀刻所述隔离物材料层。

12.根据权利要求10或11所述的方法，其进一步包含相对于所述隔离物优先移除所述临时层以形成独立的隔离物，其中所述独立的隔离物形成隔离物图案。

13.根据权利要求12所述的方法，其中在所述光阻层中形成所述光阻图案包含执行光刻，其中所述独立的隔离物的间距小于用于形成所述光阻图案的光刻技术的最小间距。

14.根据权利要求12或13所述的方法，其进一步包含在所述隔离物周围沉积平坦化层，在所述平坦化层上方沉积另一光阻层，和在所述另一光阻层中形成第二图案。

15.根据权利要求14所述的方法，其进一步包含将所述第二图案转移到所述平坦化层。

16.根据权利要求15所述的方法，其进一步包含将所述隔离物和第二图案转移到所述上部硬掩模层。

17.根据权利要求16所述的方法，其进一步包含将所述隔离物和第二图案从所述上部硬掩模层转移到所述下部硬掩模层。

18.根据权利要求17所述的方法，其进一步包含在将所述隔离物和第二图案从所述上部硬掩模层转移到所述下部硬掩模层之前执行碳剥离。

19.根据权利要求17或18所述的方法，其进一步包含将所述隔离物和第二图案从所述下部硬掩模层转移到所述非晶碳层。

20.根据权利要求19所述的方法，其进一步包含将所述隔离物和第二图案从所述非晶碳层转移到所述衬底。