[发明专利]柔性显示基板

权利要求书

1.一种半导体材料，包括粘合着至少一个聚合物基板的至少一个单晶硅膜。

2.如权利要求1所述的半导体材料，其特征在于，所述至少一个聚合物基板包括选自下列的至少一种聚合物：热塑性聚合物，具有高破坏应变的热固性聚合物，玻璃-聚合物掺混物，以及涂敷有玻璃膜的聚合物。

3.如权利要求2所述的半导体材料，其特征在于，所述至少一个聚合物基板包括选自下列的至少一种聚合物：聚砜，聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)，聚萘酸乙二醇酯(PEN)，以及聚酰亚胺。

4.如权利要求1所述的半导体材料，还包括置于所述至少一个单晶硅膜和所述至少一个聚合物之间的至少一个中间层。

5.一种用于将半导体膜转移到聚合物基板上以制造柔性半导体材料的方法，包括：

将离子注入到至少一个半导体基板中的预定深度；

在有效地形成注入离子区域中的缺陷以产生分离区域的温度下对所述至少一个离子注入后的半导体基板进行热处理且持续一段时间，所述分离区域定义了所述至少一个半导体基板的第一部分和第二部分；

将所述至少一个离子注入和热处理后的半导体基板粘合着至少一个聚合物基板；以及

使所述至少一个半导体基板的第一部分沿所述分离区域从所述至少一个半导体基板上分离下来。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述注入离子包括氢离子。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在约10KeV-200KeV的情况下，所述注入剂量介于约1×10¹⁶个离子/cm²-3×10¹⁷个离子/cm²。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述离子注入后的半导体基板的热处理过程包括：使所述半导体基板的离子注入后的面与支撑物相接触。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述支撑物包括刚性材料。

10.如权利要求8所述的方法，其特址在于，所述支撑物包括平滑的玻璃。

11.如权利要求5所述的方法，包括：在约300℃-500℃的温度下，对所述离子注入后的半导体基板进行热处理。

12.如权利要求5所述的方法，包括：在约400℃-500℃的温度下，对所述离子注入后的半导体基板进行热处理。

13.如权利要求5所述的方法，包括：在约450℃的温度下，对所述离子注入后的半导体基板进行热处理。

14.如权利要求5所述的方法，包括：对所述离子注入后的半导体基板进行约1-120分钟的热处理。

15.如权利要求5所述的方法，包括：对所述离子注入后的半导体基板进行约30-90分钟的热处理。

16.如权利要求5所述的方法，包括：对所述离子注入后的半导体基板进行约60分钟的热处理。

17.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述半导体膜主要由单晶硅膜构成。

18.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述粘合步骤包括：将预先加热的聚合物基板与所述加热后的半导体基板的离子注入后的面相接触。

19.如权利要求18所述的方法，包括：将聚合物基板预先加热到所述聚合物基板玻璃化转变温度加或减约100℃的温度。

20.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述粘合步骤包括：在所述半导体基板和聚合物基板之间放置粘合剂。

21.如权利要求20所述的方法，其特征在于，所述粘合步骤包括：在所述半导体基板的离子注入面与所述聚合物基板之间放置粘合剂。

22.如权利要求20所述的方法，其特征在于，所述粘合剂包括硅烷粘合剂。

23.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述聚合物基板包括选自下列的聚合物：热塑性聚合物，具有高破坏应变的热固性聚合物，玻璃-聚合物掺混物，以及涂敷有玻璃膜的聚合物。