[发明专利]存储装置及半导体集成电路

权利要求书

1.一种存储装置，其特征在于：

包括：第一电极层，包括互相平行地延伸的多条第一电极线，

状态变化层，形成在所述第一电极层上，并且包括由具有二极管特性和可变电阻特性的状态变化材料构成的多个状态变化部，以及

第二电极层，形成在所述状态变化层上，并且包括互相平行地延伸的多条第二电极线；

所述多条第一电极线和所述多条第二电极线，从叠层方向看时夹着所述状态变化层互相交叉；

所述多个状态变化部中的每个状态变化部，从所述叠层方向看时形成在所述多条第一电极线中的任一条和所述多条第二电极线中的任一条交叉的位置的、该第一电极线与该第二电极线之间，并且具有以从该第一电极线及该第二电极线中的任一条向另一条延伸的方向作为正方向、以从该另一条向该一条延伸的方向作为反方向的二极管特性，且具有该状态变化部在正方向上的电阻值根据被施加在该第一电极线与该第二电极线之间的规定脉冲电压而增加或减少的可变电阻特性。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于：

还包括多个第一电极和多个第二电极，和所述多个状态变化部对应；

所述多个第一电极中的每个第一电极，介于和该第一电极对应的状态变化部与和该状态变化部对应的第一电极线之间；

所述多个第二电极中的每个第二电极，介于和该第二电极对应的状态变化部与和该状态变化部对应的第二电极线之间；

所述多个状态变化部中的每个状态变化部，具有以从所对应的第一电极及第二电极中的任一个向另一个延伸的方向作为正方向、以从该另一个向该一个延伸的方向作为反方向的二极管特性，且具有该状态变化部在正方向上的电阻值根据被施加在该第一电极与该第二电极之间的规定脉冲电压而增加或减少的可变电阻特性。

3.一种存储装置，其特征在于：

包括：第一电极层，包括互相平行地延伸的多条第一电极线，

状态变化层，形成在所述第一电极层上，并且由具有二极管特性和可变电阻特性的状态变化材料构成，以及

第二电极层，形成在所述状态变化层上，并且包括互相平行地延伸的多条第二电极线；

所述多条第一电极线和所述多条第二电极线，从叠层方向看时夹着所述状态变化层互相交叉；

在所述状态变化层中，是夹在所述多条第一电极线中的任一条与所述多条第二电极线中的任一条之间的可变区域的状态变化部，具有以从该第一电极线及该第二电极线中的任一条向另一条延伸的方向作为正方向、以从该另一条向该一条延伸的方向作为反方向的二极管特性，且具有该状态变化部在正方向上的电阻值根据被施加在该第一电极线与该第二电极线之间的规定脉冲电压而增加或减少的可变电阻特性。

4.根据权利要求1或3所述的存储装置，其特征在于：

所述多条第一电极线中的每条第一电极线的功函数，与所述多条第二电极线中的每条第二电极线的功函数不同。

5.根据权利要求2所述的存储装置，其特征在于：

所述多个第一电极中的每个第一电极的功函数，与所述多个第二电极中的每个第二电极的功函数不同。

6.根据权利要求1或2所述的存储装置，其特征在于：

在所述多个状态变化部的每个状态变化部中，状态变化材料的结晶性不均匀。

7.根据权利要求3所述的存储装置，其特征在于：

在所述状态变化层中，状态变化材料的结晶性不均匀。

8.根据权利要求1、2及3中的任一项所述的存储装置，其特征在于：

还包括：

第一驱动电极线部，在所述多条第一电极线上施加规定电压，和

第二驱动电极线部，在所述多条第二电极线上施加规定电压。

9.根据权利要求8所述的存储装置，其特征在于：

在要将信息储存在所述多个状态变化部的任一个状态变化部中时，所述第一驱动电极线部在所述多条第一电极线中的与要储存所述信息的状态变化部对应的第一电极线上施加第一脉冲电压；

在要将信息储存在所述多个状态变化部的任一个状态变化部中时，所述第二驱动电极线部在所述多条第二电极线中的与要储存所述信息的状态变化部对应的第二电极线上施加第二脉冲电压。