[发明专利]在半导体装置制造中定位次分辨率辅助特征

权利要求书

1.一种操作计算系统以确定标度线数据的方法，所述标度线数据用于完成标度线以用于将图像投射到半导体晶片，所述方法包括：

接收包括所需电路层布局的电路设计层数据，所述布局包括多个线路；

在所述多个线路中标识第一线路部分以用作第一电路功能及标识第二线路部分以用作不同于所述第一电路功能的第二电路功能，所述第一线路部分平行且毗邻于所述第二线路部分；及

在输出数据文件中提供所述标度线数据以用于形成特征于所述标度线上，所述提供步骤包括：

指示所述标度线上将形成第一主特征的位置，所述第一主特征对应于所述第一线路部分；

指示所述标度线上将形成第二主特征的位置，所述第二主特征对应于所述第二线路部分；及

指示用于在所述标度线上形成至少一个辅助特征的参数，所述辅助特征具有在所述第一主特征与所述第二主特征之间的区域，其中在使用所述标度线以用于将所述图像投射到所述半导体晶片中，与所述第二主特征相比，所述区域将给予所述第一主特征更大的辅助。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述标识步骤包含：在所述多个线路中标识第一线路部分以用作至少一个晶体管栅极及标识第二线路部分以用于非晶体管栅极。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述指示用于在所述标度线上形成至少一个辅助特征的参数的步骤包含：指示所述至少一个辅助特征在所述标度线上所述第一主特征与所述第二主特征之间的不对称位置。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述指示用于在所述标度线上形成至少一个辅助特征的参数的步骤包含：

指示用于在所述标度线上所述第一主特征与所述第二主特征之间形成多个辅助特征的参数；及

指示用于形成所述多个辅助特征中至少一个辅助特征的参数，所述至少一个辅助特征将具有不同于所述多个辅助特征中至少另一个辅助特征的宽度。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述指示用于形成至少一个辅助特征的参数的步骤响应于所述第一主特征与所述第二主特征之间的距离。

6.如权利要求1所述的方法：

其中所述指示用于在所述标度线上形成至少一个辅助特征的参数的步骤包含指示用于形成第一辅助特征及第二辅助特征的参数；且

其中所述指示用于形成第一辅助特征及第二辅助特征的参数的步骤包含指示所述标度线上所述第一及第二辅助特征相对于所述第一主特征及所述第二主特征的不对称位置。

7.如权利要求1所述的方法：

其中所述指示用于在所述标度线上形成至少一个辅助特征的参数的步骤包含指示用于形成第一辅助特征及第二辅助特征及第三辅助特征的参数；且

其中所述指示用于形成第一辅助特征及第二辅助特征及第三辅助特征的参数的步骤包含指示所述标度线上所述第一及第三辅助特征相对于所述第一主特征及所述第二主特征的不对称位置及所述第二辅助特征在所述第一及第三辅助特征之间的位置。

8.如权利要求1所述的方法：

其中所述指示用于在所述标度线上形成至少一个辅助特征的参数的步骤包含指示用于形成第一辅助特征及第二辅助特征及第三辅助特征的参数；且

其中所述指示用于形成第一辅助特征及第二辅助特征及第三辅助特征的参数的步骤包含指示所述标度线上所述第一及第三辅助特征相对于所述第一主特征及所述第二主特征的对称位置及所述第二辅助特征在所述第一及第三辅助特征之间的位置。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述标度线数据用于完成亮场标度线或暗场标度线。

10.一种用于将图像投射到半导体晶片的标度线，所述图像对应于包括多个线路的电路设计，所述多个线路包括第一线路部分以用作第一电路功能及第二线路部分以用作不同于所述第一电路功能的第二电路功能，所述标度线包括：

至少一个辅助特征；

第一主特征；及

第二主特征；

其中在使用所述标度线以将所述图像投射到所述半导体晶片中，与所述第二主特征相比，所述至少一个辅助特征的区域将给予所述第一主特征更大的辅助。

11.如权利要求10所述的标度线，其中所述第一线路部分用作至少一个晶体管栅极且所述第二线路部分用作非晶体管栅极。