[发明专利]合并光刻掩膜的次分辨率辅助特征

说明书

技术领域

一般地说，本发明涉及光刻领域，且更具体说，涉及合并光刻掩膜的次分辨率辅 助特征。

背景技术

掩膜用于在对象上界定图案。举例而言，光掩膜用于光刻系统中以于半导体圆片 上界定图案以制造集成电路。然而，处理条件可能使对象上所界定的所得图案变形。 举例而言，光学衍射可能致使圆片上所界定的图案不同于掩膜的图案。

掩膜可包括补偿圆片上所得图案变形的特征。根据用于补偿变形的已知技术，掩 膜可包括次分辨率辅助特征(SRAF)。SRAF经设计以提供所得圆片图案的工艺余量， 但不印刷于所述圆片上。然而，在某些条件下，SRAF可能是不能令人满意的。举例 而言，SRAF可能印刷于圆片上或可能扰乱掩膜规则。一般地说，希望有令人满意的 SRAF。

发明内容

根据本发明，可降低或消除与合并SRAF的现有技术相关联的缺点及问题。

根据本发明的一个实施例，合并次分辨率辅助特征包括接收包括次分辨率辅助特 征的掩膜图案。选择第一次分辨率辅助特征以与第二次分辨率辅助特征合并。确定合 并棒的合并棒宽度。确定所述第一次分辨率辅助特征与所述第二次分辨率辅助特征之 间的距离。根据所述距离及所述合并棒宽度确定合并技术。根据所确定的合并技术合 并所述第一次分辨率辅助特征及所述第二次分辨率辅助特征。

根据本发明的另一个实施例，合并多个次分辨率辅助特征可包括以下两者：根据 合并棒宽度及至少两个当前次分辨率辅助特征之间的当前距离合并所述至少两个当前 次分辨率辅助特征，以及根据所述合并棒宽度及至少两个随后次分辨率辅助特征之间 的下一距离合并所述至少两个随后次分辨率辅助特征。下一组随后次分辨率辅助特征 包括具有所述当前优先级的至少一个次分辨率辅助特征及具有前一优先级的至少一个 次分辨率辅助特征。进一步地，所述合并步骤可针对一个或多个优先级重复。

本发明之某些实施例可提供一个或多个技术优点。一个实施例的技术优点可能是 合并SRAF可减少违规。减少违规可产生更易于实现的圆片图案。一个实施例的另一 技术优点可是可以至少减少所合并SRAF适印性的方式合并SRAF。通常，SRAF经设 计以不印刷于圆片上。一个实施例的再一技术优点可是合并SRAF可产生将更低廉地 生产的掩膜。

本发明的某些实施例可不包括上述技术优点，或包括一些或全部上述技术优点。 所属技术领域的技术人员从本文所包括的图式、说明书及权利要求书可容易地明白一 个或更多个其他技术优点。

附图说明

为更全面地了解本发明及其特征及其优点，现在结合附图来参阅下文说明，附图 中：

图1是图解掩膜的示例图案的图示，所述掩膜包括可根据本发明的一个实施例合 并的次分辨率辅助特征(SRAF)。

图2是图解可操作以合并SRAF的系统的一个实施例的方块图。

图3是图解说明用于合并SRAF的方法的一个实施例的流程图，所述方法可由图 2的系统使用；及

图4A到图6图解同图3的方法一同使用的用于合并SRAF的示例合并技术；

图4A是图解用于合并SRAF的第一示例合并技术的图示，所述SRAF被分开小 于合并棒宽度的距离；

图4B是图解用于合并SRAF的第一示例合并技术的图示，所述SRAF被重叠小 于合并棒宽度的距离；

图5是图解用于合并SRAF的第二示例合并技术的图示，所述SRAF被分开大于 合并棒宽度的距离；且

图6是图解用于合并SRAF的第三示例合并技术的图示，所述SRAF被重叠大于 合并棒宽度的距离。

具体实施方式

通过参考图1到6的图式可最佳地理解本发明的实施例及其优点，相同编号用于 各个图式的相同及相应部分。

图1是图解掩膜的示例图案10的图示，所述掩膜包括可根据本发明的一个实施 例合并的次分辨率辅助特征(SRAF)。根据所述实施例，某些SRAF可经选择以进行 合并，且合并棒可用于合并所选择的SRAF。以一种方式合并SRAF，所述方式至少维 持所述特征的工艺余量，同时至少减少在圆片上产生印刷特征的可能性。