[发明专利]智能卡以及智能卡读卡器有效
申请号: | 200680013681.9 | 申请日: | 2006-04-24 |
公开(公告)号: | CN101185201A | 公开(公告)日: | 2008-05-21 |
发明(设计)人: | 亨里克·荣格克兰茨 | 申请(专利权)人: | 因派科特涂料公司 |
主分类号: | H01R13/03 | 分类号: | H01R13/03;C23C30/00 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 霍育栋;郑霞 |
地址: | 瑞典林*** | 国省代码: | 瑞典;SE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 智能卡 以及 读卡器 | ||
1.一种智能卡,其具有用来与读取智能卡(1)的智能卡读卡器(7)的读卡器接触元件(9)建立电接触的卡接触元件(2),所述卡接触元件(2)具有涂覆接触层的接触表面(3),所述接触表面(3)设置成接触所述读卡器接触元件(9),其中所述接触层包括多元素材料,其特征在于所述多元素材料具有由式MqAyXz描述的至少一种碳化物或氮化物的组合物,其中M是过渡金属或过渡金属的组合,A是A族元素或A族元素的组合,X是碳或氮或者是两者,以及q、y和z是大于0的数字,以及所述多元素材料还包括含有基于相应的MqAyXz化合物中的原子元素的单元素、二元相、三元相、四元相或更高阶相的至少一种纳米复合材料(4)。
2.如权利要求1所述的智能卡,其中所述多元素材料具有由式Mn+1AXn描述的至少一种碳化物或氮化物的组合物,其中M是过渡金属或过渡金属的组合,A是A族元素或A族元素的组合,X是碳或氮或者是两者,以及n是1、2、3或更大,以及所述多元素材料还包括含有基于相应的Mn+1AXn化合物中的原子元素的单元素、二元相、三元相、四元相或更高阶相的至少一种纳米复合材料(4)。
3.如权利要求1或2所述的智能卡,其中所述纳米复合材料(4)包括选自由M-A、A-X、M-A-X、X和M-X组成的组中的至少两相。
4.如权利要求1-3任一项所述的智能卡,其中所述过渡金属是钛,X是碳以及A族元素是硅、锗或锡中的至少一种。
5.如前述任一项权利要求所述的智能卡,其中所述多元素材料是Ti3SiC2以及所述纳米复合材料(4)包括选自由Ti-C、Si-C、Ti-Si-C、Ti-Si和C组成的组中的至少一相。
6.如前述任一项权利要求所述的智能卡,其中所述纳米复合材料(4)至少部分是无定形态。
7.如权利要求1-4任一项所述的智能卡,其中所述纳米复合材料(4)至少部分是纳米晶体态。
8.如前述任一项权利要求所述的智能卡,其中所述纳米复合材料(4)具有与纳米晶体区域(5)混合的无定形区域(6)。
9.如前述任一项权利要求所述的智能卡,其中所述接触层包括金属层。
10.如权利要求9所述的智能卡,其中所述金属层是Au、Ag、Pd、Pt、Rh、Ir、Re、Mo、W、Ni或具有任意前述金属的至少一种的合金中的任何一种。
11.如权利要求9或10所述的智能卡,其中所述金属层是任何金属或金属复合材料,其中所述复合材料可为氧化物、碳化物、氮化物或硼化物。
12.如权利要求9-11任一项所述的智能卡,其中所述金属层是任何金属或金属复合材料,所述复合材料包括聚合物、有机材料或诸如氧化物、碳化物、氮化物或硼化物等陶瓷材料。
13.如权利要求9-12任一项所述的智能卡,其中所述多元素材料在多层结构中用金属层层压。
14.如权利要求8-12任一项所述的智能卡,其中所述多元素材料具有金属层的涂层以使所述接触层是金属的。
15.如前述任一项权利要求所述的智能卡,其中所述接触层掺杂了一种或多种化合物或元素来改变或改进所述接触层的摩擦性能、机械性能、热性能和电性能。
16.如前述任一项权利要求所述的智能卡,其中所述接触层包括在相应的Mn+1AXn化合物中的以重量计0-50%范围内的至少一种单元素M、A、X。
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