[发明专利]一种太阳能电池的制造方法以及太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池的制造方法，是于第一导电型半导体基板上形成pn结而制造出太阳能电池的方法，其特征为至少包含下列步骤：

在该第一导电型半导体基板上，涂布含有掺杂剂的第一涂布剂，然后同时形成一第一扩散层以及一第二扩散层；

该第一扩散层是利用气相扩散热处理而形成于该第一涂布剂的涂布区域；

该第二扩散层是利用气相扩散以连接第一扩散层的方式而形成，其导电率低于该第一扩散层。

2.一种太阳能电池制造方法，是于第一导电型半导体基板上形成pn结而制造出太阳能电池的方法，其特征为至少包含下列步骤：

在该第一导电型半导体基板上，涂布含有掺杂剂的第二涂布剂，然后同时形成一第二扩散层以及一第一扩散层；

该第二扩散层是利用气相扩散热处理而形成于该第二涂布剂的涂布区域；

该第一扩散层是利用气相扩散以连接第二扩散层的方式而形成，其导电率高于该第二扩散层。

3.如权利要求1或2所述的太阳能电池的制造方法，其特征为该第一涂布剂或第二涂布剂含有硅化物。

4.如权利要求3所述的太阳能电池的制造方法，其特征为该硅化合物是硅胶或硅氧化物前驱物。

5.如权利要求1～4中任一所述的太阳能电池的制造方法，其特征为还包含：

将含有硅化合物的第三涂布剂，涂布覆盖于该第一涂布剂或该第二涂布剂上部，之后进行该扩散热处理的步骤。

6.如权利要求1至5中任一所述的太阳能电池的制造方法，其特征为还包含：

回蚀由该扩散热处理所形成的扩散层表面的步骤。

7.如权利要求1至6中任一所述的太阳能电池的制造方法，其特征为还包含：

氧化由该扩散热处理所形成的扩散层表面的步骤。

8.如权利要求1至7中任一所述的太阳能电池的制造方法，其特征为在该半导体基板的受光面与该受光面的背面的至少其中一方，形成第一扩散层与第二扩散层。

9.一种太阳能电池，是以权利要求1至8中任一的制造方法所制成，包含形成于该半导体基板的受光面上的第一扩散层及第二扩散层；

该第一扩散层是与该半导体基板所具有的第一导电型相反的相反导电型；

该第二扩散层的导电率低于该相反导电型的该第一扩散层。

10.一种太阳能电池，是针对权利要求9所述的太阳能电池，还至少包含一扩散层，该扩散层形成于该受光面的背面，与该第一导电型相同的导电型。