[发明专利]三维纳米级交叉杆有效
| 申请号： | 200680013948.4 | 申请日： | 2006-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN101167137A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | R·S·威廉斯;P·J·屈克斯 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/02 | 分类号： | G11C13/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;陈景峻 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维 纳米 交叉 | ||
1.一种三维纳米级电子装置，包括：
第一功能层，包括纳米线(502-509)和第一类型的纳米线结(510)；以及
一个或多个附加功能层，包括纳米线(702-709)和一个或多个附加类型的纳米线结(802)，第一功能层和一个或多个附加功能层通过纳米线、纳米线结、微米级信号线、以及亚微米级信号线的一个或多个互连。
2.权利要求1的三维纳米级电子装置，其中可以在三个独立的方向上制备信号通路(1016)。
3.权利要求1的三维纳米级电子装置，其中第一功能层和该一个或多个附加功能层均包括通过选择性制备的纳米线结(510，802)与附加特征互连的多重平行纳米线(502-509和702-709)。
4.权利要求3的三维纳米级电子装置，其中所述附加特征包括下述中的一个或多个：
纳米线；
微米级线；
亚微米级线；
接触(306-313)；以及
电子部件，包括晶体管、电阻器、二极管、以及互连。
5.权利要求1的三维纳米级电子装置，进一步包括：
第一多路分离器层；
纳米线交叉杆存储器(602)；以及
第二多路分离器层。
6.权利要求6的三维纳米级电子装置，进一步包括：
接触(306-313)，其允许外部信号和源电压线与三维纳米级电子装置互连。
7.一种用于实施纳米级装置的方法，该方法包括：
制备包括纳米线(502-509)和第一类型的纳米线结(510)的第一功能层；以及
对于一个或多个附加功能层，
制备包括纳米线(702-709)和一个或多个附加类型的纳米线结(802)的下一功能层，以及
提供通过纳米线、纳米线结、微米级信号线、以及亚微米级信号线的一个或多个在该下一功能层和前面功能层之间的互连。
8.权利要求7的方法，进一步包括在每一个功能层中制备通过选择性制备的纳米线结(510，802)与附加特征互连的多重平行纳米线(502-509和702-709)。
9.权利要求7的方法，其中纳米级装置是存储器装置，并且进一步包括：
制备第一多路分离器层；
在第一多路分离器层上制备纳米线交叉杆存储器(602)；以及
在纳米线交叉杆存储器上制备第二多路分离器层。
10.权利要求9的方法，进一步包括：
制备允许外部信号和源电压线与存储器装置互连的接触(306-313)。
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