[发明专利]通过后PECVD沉积UV处理增加氮化硅膜的拉伸应力的方法

权利要求书

1.一种形成氮化硅的方法，该方法包含：

(i)配置含一表面的基板于一制程室中；

(ii)在无等离子体的状态，将位于该制程室的该表面曝露于一含硅之前导气体中，而在该表面上形成一含硅层；

(iii)将位于该制程室的该含硅层曝露于一含氮等离子体而形成氮化硅；及

重复步骤(ii)-(iii)以增加该氮化硅的一厚度。

2.如权利要求1所述的方法，其中上述的含氮等离子体是由一包含分子形态氮的混合气体所形成。

3.如权利要求2所述的方法，其中上述的混合气体更包含至少一选自氨、氩、氦、及氙的成分。

4.如权利要求1所述的方法，其中上述的氮化硅具有一90％的均匀覆盖度(conformality)。

5.如权利要求1所述的方法，其中上述的含硅层及该氮化硅是于一介于约20-150毫托(mTorr)的压力下形成。

6.一种形成氮化硅的方法，该方法包含：

(i)配置一含一表面的基板于一制程室中；

(ii)在一第一含氮等离子体中，将位于该制程室的该表面曝露于一含硅之前导气体；

(iii)将该受曝露过的表面以一第二含氮等离子体进行处理，以形成氮化硅；及

重复步骤(ii)-(iii)以增加该氮化硅的一厚度。

7.如权利要求6所述的方法，其中上述第一含氮等离子体是由一包含氨的混合气体所形成。

8.如权利要求6所述的方法，其中上述的第二含氮等离子体是由一第二混合气体所形成，该第二混合气体包含至少一选自分子形态氮、氩、氦、及氙的成分。

9.如权利要求8所述的方法，其中上述曝露于该第二含氮等离子体增进该氮化硅的一拉伸应力。

10.如权利要求9所述的方法，其中上述的氮化硅具有一至少约1.0GPa或更高的拉伸应力。

11.一种在一氮化硅膜层中增进拉伸应力的方法，该方法包含：

在一低于400℃且存在有一含氮等离子体下，沉积一氮化硅膜层；及

将该氮化硅沉积膜层曝露于紫外辐射照射下。

12.如权利要求11所述的方法，其中上述的沉积及曝露步骤是于不同的制程室或于相同的制程室进行。

13.如权利要求11所述的方法，其中上述于曝露后的该氮化硅沉积膜层具有一大于约1.7GPa的拉伸应力。

14.如权利要求11所述的方法，其中上述的氮化硅沉积膜层具一硅-氢(Si-H)对氮-氢(N-H)的组成比约1∶1。

15.如权利要求11所述的方法还包含移除该氮化硅膜层的一氢含量，其中该氢含量的移除增强膜层的拉伸应力。

16.如权利要求11所述的方法还包含在该氮化硅沉积膜层受曝于紫外辐射的照射期间，于一拥有该氮化硅沉积膜层的基板及一紫外辐射源之间赋予其相对运动。

17.如权利要求16所述的方法，其中上述的紫外辐射以一布鲁斯德(Brewster)角度照射于该表面上。

18.如权利要求16所述的方法，其中上述相对运动的赋予包含移动该基板或移动该紫外辐射源。

19.一种形成一具高拉伸应力的氮化硅膜层的方法，该方法包含：

在存在有一成孔剂(porogen)的状态下，沉积该氮化硅膜层；

将该氮化硅沉积膜层曝露于选自一等离子体或紫外辐射两者至少其中之一处理，以释出该成孔剂；及

稠化该氮化硅膜层，以减低因释出该成孔剂而造成的一气孔的尺寸，且使该氮化硅膜层内的Si-N键被拉伸，以于该氮化硅膜层内赋予一拉伸应力。

20.如权利要求19所述的方法，其中上述的成孔剂是选自由α-萜品烯(alpha-terpinene(ATRP))、甲苯(Toluene)、薴烯(Limonene)、吡喃(Pyran)、乙酸乙烯酯(Vinyl acetate)、环戊烯(Cyclo-penetene)、1-甲基环戊烯(1-methyl cyclo-pentene)、5-乙烯基二环庚-2-烯(5 vinylbicyclo hept-2-ene)、及氧化环戊烯(cyclo-pentene oxide)所组成的群组。