[发明专利]聚合物介电特性的特征化技术

权利要求书

1.一种用于确定聚合物薄膜的介电特性的容性测试结构，该结构包括：

衬底；

淀积在上述衬底上的图案化底部金属层，其中所述聚合物薄膜淀积在所述图案化底部金属层上；

淀积在所述聚合物薄膜上的顶部金属电极，其中所述顶部金属电极被图案化以形成共面波导传输线。

2.权利要求1中记载的容性测试结构，其中，

所述聚合物薄膜的所述介电特性包括介电常数、损耗因数及其组合。

3.权利要求1中记载的容性测试结构，其中，

所述聚合物薄膜包括非线性光学聚合物。

4.权利要求1中记载的容性测试结构，其中，

所述聚合物薄膜的厚度为约100nm～数微米。

5.权利要求1中记载的容性测试结构，其中，

所述衬底包括高电阻率硅。

6.权利要求1中记载的容性测试结构，其中，

所述衬底的厚度为约0.01～0.02英寸。

7.权利要求1中记载的容性测试结构，

还包括涂敷于所述衬底的粘合层。

8.权利要求7中记载的容性测试结构，其中，

所述粘合层包括铬、钛或它们的组合。

9.权利要求7中记载的容性测试结构，其中，

所述粘合层包括铬。

10.权利要求7中记载的容性测试结构，其中，

所述粘合层包括钛。

11.权利要求7中记载的容性测试结构，其中，

所述粘合层的厚度为约100～约200。

12.权利要求1中记载的容性测试结构，其中，

所述图案化底部金属层包括铂、金或它们的组合。

13.权利要求1中记载的容性测试结构，其中，

所述图案化底部金属层包括金。

14.权利要求1中记载的容性测试结构，其中，

所述图案化底部金属层的厚度为约7500～约10000。

15.权利要求1中记载的容性测试结构，其中，

所述图案化底部金属层包括：

至少两根地线；

分流导体，其中所述分流导体将所述至少两根地线分流到一起(shunt together)。

16.权利要求15中记载的容性测试结构，其中，

所述顶部金属电极包括：

至少两个接地导体，其中所述至少两个接地导体位于所述图案化底部金属层的所述至少两根地线的正上方；

中央信号带，其中所述中央信号带在所述至少两个接地导体之间居中且垂直于所述图案化底部金属层的所述分流导体。

17.权利要求16中记载的容性测试结构，其中，

所述顶部金属电极的所述中央信号带和所述图案化底部金属层的分流导体的重叠区域限定了测试电容。

18.权利要求16中记载的容性测试结构，其中，

所述顶部金属电极的所述至少两个接地导体和所述图案化底部金属层的所述至少两根地线的重叠区域形成了大的接地焊盘电容。

19.权利要求1中记载的容性测试结构，其中，

所述顶部金属电极包括金、铂或它们的组合。

20.权利要求1中记载的容性测试结构，其中，

所述顶部金属电极包括金。

21.权利要求1中记载的容性测试结构，其中，

所述顶部金属电极的厚度为约3500～约5000。

22.权利要求1中记载的容性测试结构，其中，

所述顶部金属电极包括：

至少两个接地导体；

中央信号带，其中所述中央信号带在所述至少两根地线之间居中。