[发明专利]电阻电路无效

专利信息
申请号: 200680015041.1 申请日: 2006-05-25
公开(公告)号: CN101171748A 公开(公告)日: 2008-04-30
发明(设计)人: 伊藤康一 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: H03H11/24 分类号: H03H11/24
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 杜娟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电阻 电路
【权利要求书】:

1.一种电阻电路,包含:

基准MOS电阻;

可变MOS电阻;

第一控制装置,用于控制所述基准MOS电阻的栅电压以便将所述基准MOS电阻的电阻值控制为常数;

电压检测装置,用于检测所述基准MOS电阻的漏-源电压的二分之一;和

第二控制装置,用于基于受所述第一控制装置控制的所述基准MOS电阻的栅电压和由所述电压检测装置检测到的所述基准MOS电阻的漏-源电压的二分之一来供应所述可变MOS电阻的栅电压,从而控制可变电阻。

2.根据权利要求1所述的电阻电路,其中所述第一控制装置包括:用于检测所述基准MOS电阻中产生的电压的装置,以及用于控制所述基准MOS电阻中产生的电压以使其与预定基准电压相同的装置。

3.根据权利要求1所述的电阻电路,其中所述电压检测装置包括在所述基准MOS电阻的漏极和源极之间与所述基准MOS电阻并联连接的电阻单元,所述电阻单元包括两个串联连接的具有相同电阻值的电阻,并且其中在具有所述串联连接电阻的所述电阻单元的中点处检测所述基准MOS电阻的漏-源电压的二分之一。

4.根据权利要求1所述的电阻电路,其中所述基准MOS电阻和所述可变MOS电阻是pMOS型或者nMOS型。

5.根据权利要求1所述的电阻电路,还包括第二电压检测装置,其用于检测所述可变MOS电阻的漏-源电压的二分之一,

其中所述第二控制装置通过供应一个电压作为所述可变MOS电阻的栅电压来控制可变电阻,所述电压是通过从受所述第一控制装置控制的所述基准MOS电阻的栅电压中减去由所述电压检测装置检测到的所述基准MOS电阻的漏-源电压的二分之一,并加上由所述第二电压检测装置检测到的所述可变MOS电阻的漏-源电压的二分之一而得到的。

6.根据权利要求5所述的电阻电路,其中所述第二电压检测装置包括在所述可变MOS电阻的漏极和源极之间与所述可变MOS电阻并联连接的电阻单元,所述电阻单元包括两个串联连接的具有相同电阻值的电阻,并且其中在具有所述串联连接电阻的所述电阻单元的中点处检测所述可变MOS电阻的漏-源电压的二分之一。

7.一种负载电路,包含权利要求1中所述的可变MOS电阻。

8.一种差动放大器电路,其中在所述差动放大器电路的输出端之间插入有权利要求1中所述的可变MOS电阻作为输出负载。

9.一种通信设备,其中权利要求1中所述的可变MOS电阻被实施为发送放大器和接收放大器中至少一个的内部的负载电阻。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社,未经索尼株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680015041.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top