[发明专利]电阻电路无效
申请号: | 200680015041.1 | 申请日: | 2006-05-25 |
公开(公告)号: | CN101171748A | 公开(公告)日: | 2008-04-30 |
发明(设计)人: | 伊藤康一 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H03H11/24 | 分类号: | H03H11/24 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 杜娟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电阻 电路 | ||
1.一种电阻电路,包含:
基准MOS电阻;
可变MOS电阻;
第一控制装置,用于控制所述基准MOS电阻的栅电压以便将所述基准MOS电阻的电阻值控制为常数;
电压检测装置,用于检测所述基准MOS电阻的漏-源电压的二分之一;和
第二控制装置,用于基于受所述第一控制装置控制的所述基准MOS电阻的栅电压和由所述电压检测装置检测到的所述基准MOS电阻的漏-源电压的二分之一来供应所述可变MOS电阻的栅电压,从而控制可变电阻。
2.根据权利要求1所述的电阻电路,其中所述第一控制装置包括:用于检测所述基准MOS电阻中产生的电压的装置,以及用于控制所述基准MOS电阻中产生的电压以使其与预定基准电压相同的装置。
3.根据权利要求1所述的电阻电路,其中所述电压检测装置包括在所述基准MOS电阻的漏极和源极之间与所述基准MOS电阻并联连接的电阻单元,所述电阻单元包括两个串联连接的具有相同电阻值的电阻,并且其中在具有所述串联连接电阻的所述电阻单元的中点处检测所述基准MOS电阻的漏-源电压的二分之一。
4.根据权利要求1所述的电阻电路,其中所述基准MOS电阻和所述可变MOS电阻是pMOS型或者nMOS型。
5.根据权利要求1所述的电阻电路,还包括第二电压检测装置,其用于检测所述可变MOS电阻的漏-源电压的二分之一,
其中所述第二控制装置通过供应一个电压作为所述可变MOS电阻的栅电压来控制可变电阻,所述电压是通过从受所述第一控制装置控制的所述基准MOS电阻的栅电压中减去由所述电压检测装置检测到的所述基准MOS电阻的漏-源电压的二分之一,并加上由所述第二电压检测装置检测到的所述可变MOS电阻的漏-源电压的二分之一而得到的。
6.根据权利要求5所述的电阻电路,其中所述第二电压检测装置包括在所述可变MOS电阻的漏极和源极之间与所述可变MOS电阻并联连接的电阻单元,所述电阻单元包括两个串联连接的具有相同电阻值的电阻,并且其中在具有所述串联连接电阻的所述电阻单元的中点处检测所述可变MOS电阻的漏-源电压的二分之一。
7.一种负载电路,包含权利要求1中所述的可变MOS电阻。
8.一种差动放大器电路,其中在所述差动放大器电路的输出端之间插入有权利要求1中所述的可变MOS电阻作为输出负载。
9.一种通信设备,其中权利要求1中所述的可变MOS电阻被实施为发送放大器和接收放大器中至少一个的内部的负载电阻。
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