[发明专利]使用偏振光的微光刻曝光装置及具有凹面主镜和凹面辅镜的微光刻投射系统

权利要求书

1.一种微光刻投射曝光装置，使用的波长≤100nm，尤其是用于EUV光刻的波长＜50nm，优选地波长＜20nm，所述微光刻投射曝光装置包括：

照明系统，所述照明系统使用限定的偏振状态的光来照亮物体平面中的场；以及

投射系统，至少具有第一镜(S1)、第二镜(S2)、第三镜(S3)、和第四镜，

其中，所述投射系统将所述物体平面中的场投射成像平面中的图像，并且其中，

所述偏振光从所述物体平面穿过所述系统到达所述像平面，并且所述投射系统具有的图像侧数值孔径NA至少为0.3，优选地至少为0.35，更优选地至少为0.4，更优选地至少为0.45，最优选地至少为0.5。

2.根据权利要求1所述的投射曝光装置，其中，以使得所述投射系统的透射性最大的方式来选择所述限定的偏振状态。

3.根据权利要求1所述的投射曝光装置，其中，以将基本上为s偏振的光提供到所述投射系统的具有最大入射角度的主射线(CR)的镜上的方式来选择所述限定的偏振状态，所述主射线起源于所述物体平面中的场的中心场点并入射到所述镜上。

4.根据权利要求1所述的投射曝光装置，其中，以将基本上为s偏振的光提供到像平面中的方式来选择所述限定的偏振状态。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的投射曝光装置，其中，所述照明系统具有发射偏振光的光源。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的投射曝光装置，其中，所述照明系统具有发射非偏振光的光源。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的投射曝光装置，其中，所述照明系统包括用于提供所述限定的偏振状态的元件。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的投射曝光装置，其中，所述物体平面中待照亮的所述场的中心场点的主射线角度为＜10°。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的投射曝光装置，其中，光束丛包括所述物体平面中待照亮的所述场的中心场点的主射线，并且其中，所述主射线以大于20°的角度入射到所述投射系统的至少一个镜上。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的投射曝光装置，其中，所述投射系统在从所述物体平面到所述像平面的光路中至少包括第一镜(S1)、第二镜(S2)、第三镜(S3)、第四镜(S4)、第五镜(S5)、和第六镜(S6)。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的投射曝光装置，其中，所述投射系统在从所述物体平面到所述像平面的光路中至少包括第一镜(S1)和第二镜(S2)，其中所述第一镜(S1)为凹面镜，或者所述第二镜(S2)为凹面镜，或者所述第一镜(S1)和所述第二镜(S2)都为凹面镜。

12.根据权利要求11所述的投射曝光装置，其中，所述第一镜(S1)具有第一半径(R1)，而所述第二镜(S2)具有第二半径(R2)，并且所述第一半径(R1)与所述第二半径(R2)的比值在-6<R1R2<-16]]>的范围内。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的投射曝光装置，其中，所述投射系统在从所述物体平面到所述像平面的光路中至少包括第一镜(S1)、第二镜(S2)、第三镜(S3)、第四镜(S4)、第五镜(S5)、第六镜(S6)、第七镜(S7)、和第八镜(S8)。