[发明专利]氮化物系半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物系半导体元件，其在Si基板上具有氮化物半导体层，此氮化物系半导体元件的特征在于，

所述Si基板的至少一部分及所述氮化物半导体层包含于主动区域，

所述Si基板的主动区域的导电型为p型。

2.一种氮化物系半导体元件，其在Si基板上具有氮化物半导体层，此氮化物系半导体元件的特征在于，

所述Si基板的至少一部分及所述氮化物半导体层包含于主动区域，

所述Si基板的主动区域的多数载体为空穴。

3.如权利要求1或2所述的氮化物系半导体元件，其特征在于，

所述Si基板的主动区域的空穴浓度为约1×10¹⁸cm^-3以上、约1×10²¹cm^-3以下。

4.如权利要求1至3中任一权利要求所述的氮化物系半导体元件，其特征在于，所述Si基板的主动区域的杂质浓度为约1×10¹⁸cm^-3以上、约1×10²²cm^-3以下。

5.如权利要求1至4中任一权利要求所述的氮化物系半导体元件，其特征在于，所述Si基板的主动区域的电阻率约为0.05Ωcm以下。

6.如权利要求1至5中任一权利要求所述的氮化物系半导体元件，其特征在于，所述氮化物半导体层从所述Si基板侧起依次具有n型氮化物半导体层及p型氮化物半导体层，所述n型氮化物半导体层与所述Si基板的主动区域相邻接。

7.如权利要求6所述的氮化物系半导体元件，其特征在于，

所述n型氮化物半导体层的至少最靠近所述Si基板的一侧为n型GaN层。

8.如权利要求6或7所述的氮化物系半导体元件，其特征在于，与所述Si基板的主动区域邻接的n型氮化物半导体层的电子浓度为约1×10¹⁷cm^-3以上、约1×10²¹cm^-3以下。

9.如权利要求6至8中任一权利要求所述的氮化物系半导体元件，其特征在于，与所述Si基板的主动区域邻接的n型氮化物半导体层的n型杂质浓度为约1×10¹⁷cm^-3以上、约1×10²²cm^-3以下。

10.如权利要求1至9中任一权利要求所述的氮化物系半导体元件，其特征在于，所述Si基板与所述氮化物半导体层的界面以使载体可利用隧道效应而通过的方式相邻接。

11.如权利要求1至10中任一权利要求所述的氮化物系半导体元件，其特征在于，

所述Si基板与所述氮化物半导体层经缩退而形成。

12.如权利要求1至11中任一权利要求所述的氮化物系半导体元件，其特征在于，

所述Si基板与所述氮化物半导体层的界面上的I-V特性呈大致线形。

13.一种氮化物系半导体元件，其是权利要求1至12中任一权利要求所述的氮化物系半导体元件，其特征在于，

所述氮化物半导体层包含可发光或可受光的活性层。

14.一种氮化物系半导体元件，其是权利要求1至13中任一权利要求所述的氮化物系半导体元件，其特征在于，

具有正电极和负电极，

所述正电极是与所述氮化物半导体层中包含的p型氮化物半导体层相邻接，

所述负电极是与所述Si基板相邻接。

15.如权利要求14所述的氮化物系半导体元件，其特征在于，

所述正电极与所述负电极设在相对的面上。

16.一种氮化物系半导体元件，其是权利要求1至13中任一权利要求所述的氮化物系半导体元件，其特征在于，

具有正电极和负电极，

所述正电极是与所述氮化物半导体层中包含的p型氮化物半导体层相邻接，

所述负电极是与所述氮化物半导体层中包含的n型氮化物半导体层相邻接。