[发明专利]导电性阻障层、尤其是钌钽合金及其溅镀沉积方法

权利要求书

1.一种形成用于一铜金属化的一衬里结构的方法，其至少包含：

提供一基材，该基材具有形成在一介电层中的一孔洞；

形成一耐火贵族合金层于包括孔洞侧壁的该介电层的上方，该耐火贵族合金层包含一至少5％原子的耐火金属与一至少5％原子的铂族群金属的一合金，其中该耐火金属是选自周期表的IVB、VB与VIB族，且该铂族群金属是选自周期表的铁除外的VIIIB族。

2.如权利要求1所述的方法，其中该耐火金属至少包含钽，且该铂族群金属至少包含钌。

3.如权利要求2所述的方法，其中该耐火贵族合金层至少包含40至80％原子的钌与40至60％原子的钽。

4.如权利要求1所述的方法，更包含溅镀沉积一铜晶种层于该耐火贵族合金层上方。

5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，更包含通过电化学电镀填充铜进入该孔洞而位于该晶种层上方。

6.如权利要求1至4中任一项所述的方法，更包含填充铜进入该孔洞而直接地位于该耐火贵族合金层上。

7.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中该耐火贵族合金层额外地至少包含氮。

8.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中该形成步骤至少包含溅镀。

9.一种包含通过权利要求1至4中任一项所述的方法所形成的衬里结构的基材。

10.一种在半导体结构中形成金属化的方法，其至少包含：

提供一基材，该基材具有形成在一介电层中的一孔洞；

沉积一衬里层，该衬里层至少包含一导电非结晶形金属于包含有孔洞侧壁的该介电层上方；以及

填充铜进入该孔洞而位于该衬里层上方。

11.如权利要求10所述的方法，其中该非结晶形金属至少包含一耐火金属与一铂族群金属的一耐火贵族合金，其中该耐火金属是选自周期表的IVB、VB与VIB族，且该铂族群金属是选自周期表的铁除外的VIIIB族。

12.如权利要求11所述的方法，其中该耐火金属是选自钽、钛、钨与钼。

13.如权利要求12所述的方法，其中该铂族群金属至少包含钌。

14.如权利要求11所述的方法，其中该铂族群金属至少包含钌。

15.如权利要求14所述的方法，其中该耐火金属至少包含钽。

16.如权利要求10至15中任一项所述的方法，其中该非结晶形金属是通过溅镀来沉积。

17.如权利要求10至15中任一项所述的方法，更包含溅镀沉积一铜层于该衬里层上方，且该填充步骤是填充该铜于该铜层上方。

18.一种被建构成装设在一等离子体溅镀反应器上的标靶，其至少包含：

一支撑板，该支撑板是可安装的位在该反应器上；以及

一表面层，该表面层是粘结至该支撑板且至少包含一合金，该合金包含一至少5％原子的耐火金属与一至少5％原子的铂族群金属，其中该耐火金属是选自周期表的IVB、VB与VIB族，且该铂族群金属是选自周期表的铁除外的VIIIB族。

19.如权利要求18所述的标靶，其中该耐火金属至少包含钽，且该铂族群金属至少包含钌。

20.如权利要求19所述的标靶，其中该合金至少包含介于40与95％原子之间的钌与不超过60％原子的钽。

21.一种溅镀的方法，其至少包含：

在一腔室中激发一等离子体，藉此溅镀一标靶以沉积该标靶的材料至一工件上，该标靶包含一至少5％原子的耐火金属与一铂族群金属，其中该耐火金属是选自周期表的IVB、VB与VIB族，且该铂族群金属是选自周期表的铁除外的VIIIB族。

22.如权利要求21所述的方法，其中该耐火金属为钽，且该铂族群金属为钌。

23.如权利要求21或22所述的方法，更包含允许氮进入该腔室以执行反应性溅镀，该反应性溅镀包括形成一氮化物层。