[发明专利]低废气的聚胺基甲酸酯无效
申请号: | 200680015684.6 | 申请日: | 2006-05-22 |
公开(公告)号: | CN101175831A | 公开(公告)日: | 2008-05-07 |
发明(设计)人: | 艾薇罗·詹姆士·梅斯托布诺;约翰·C.·高卓洛 | 申请(专利权)人: | 恩特格林斯公司 |
主分类号: | C09J175/04 | 分类号: | C09J175/04;C08K3/04;C09J5/08;B01D46/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 钟晶 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 废气 胺基 甲酸 | ||
技术领域
本发明是关于一种低废气性聚胺基甲酸酯,其基本上不含有含硅物质,该含硅物质在制造电子组件时存在特定污染问题。该聚胺基甲酸酯是可在过滤器组装中、或在制造电子组件的环境中用作为密封材料(potting material)。
背景技术
由于随着性能需要的驱动使得零组件尺寸小型化,因此在电子构件的制造和加工时已日益要求制造步骤是在较洁净的环境下实施。例如含硅物质(譬如,例如六甲基二硅氧烷(HMDSO)的硅氧烷类,硅烷类,例如六甲基二硅氮烷(HMDS)的硅氮烷类,硅烷醇类);有机分子类(譬如,烃、卤化烃、邻苯二甲酸酯类、丁基化羟基苯、氯);挥发性碱类(譬如,氨、酰胺类、胺类);挥发性酸类(SOx、NOx、卤化氢、硫酸、磺酸、羧酸类)等各种污染物的存在会不利地影响到制造者制造具有所希望性能特性的电子组件的能力。
发明内容
本发明的具体实例是关于新颍的低废气性聚胺基甲酸酯。在本发明的一具体实例中,低废气性聚胺基甲酸酯包含聚胺基甲酸酯基质、及基本上不含有含硅污染物的添加剂。聚胺基甲酸酯基质可加以发泡或调制成当基质在约大气压下被施以约50℃的温度历时约30分钟时,其是以约0.0001微克/克/分钟的速率散发一种或多种含硅污染物。低废气性聚胺基甲酸酯也可又包含碳黑。
低废气性聚胺基甲酸酯的特征为所散发的污染物含量低,可以使该聚胺基甲酸酯用于制造电子装置的环境,而不会不利地冲击到所制得组件或制程的其它部份的质量。特别地,该低废气性系可引导至例如传统的微影术和/或液态沉浸微影技术等特定的应用。
本发明的另一具体实例是关于一种密封材料,其包含任何一种在本文中所揭示的加以发泡的聚胺基甲酸酯的聚胺基甲酸酯基质。
本发明的又一具体实例是关于将如上所述具体实例的密封材料用于包括过滤膜、过滤框和密封材料的过滤单元。该密封材料是将滤膜连接到过滤单元。
如在本文中所揭示者,测试惯用的以聚乙烯为主的密封材料的结果显示商品级可获得的制品是无法达到某些电子组件制造者所要求的低废气特性。因此,需要制造一种具有低废气特性的高分子材料,使其可使用于特定的电子组件制造环境。特别地,在例如制造用于干式和液态沉浸微影技术(LIL)环境的基质和密封材料的应用中,低废气性的含硅物质及污染物是尤其令人满意的。
附图说明
本发明的前述及其它目的、特征和优点根据上述本发明较佳的具体实例的更特定的揭述则将可更了解,如在所附的图式所例示者,其中相同的代表符号是代表在不同图式中的相同部份。图式并不需要根据实际的比例,所强调的是用以例示本发明的原理。
第1A图是展示一种使用泵计量系统的重力式分配系统用于制造与本发明的具体实例相互一致的低废气性聚胺基甲酸酯。
第1B图是展示根据本发明的具体实例,一种与第1A图的重力式分配系统一起使用的分配器单元。
第1C图是展示根据本发明的具体实例,一种与第1B图的分配器单元一起使用的可抛弃式混合头的横断面图。
第2图是展示根据本发明的具体实例,用以检测过滤单元的废气(包括密封材料的废气)的装置的示意图。
第3A图是展示当E3000过滤单元暴露于200 ft3/min的基本上为洁净空气0至4小时后,从下游GC/MS管柱分析所排放废气的曲线图,其中检测是配置成用以检测高沸腾物。
第3B图是展示当E3000过滤单元暴露于200 ft3/min的基本上为洁净空气24小时后,从下游GC/MS管柱分析所排放废气的曲线图,其中检测是配置成用以检测高沸腾物。
第4图是展示使用商品级可获得的聚乙烯试样作为密封材料,当其历经温度为约50℃约30分钟后,GC/MS管柱分析所排放脱附物质的曲线图,其中检测是配置成用以检测高沸腾物。
第5图是展示使用商品级可获得的聚乙烯试样作为密封材料的过滤单元,在24小时的暴露后相对应于如表1所示结果,其下游GC/MS管柱分析所排放废气的曲线图,其中检测是配置成用以检测高沸腾物。
第6图是展示使用商品级可获得的聚乙烯试样作为密封材料的样本,当其历经温度为约50℃约30分钟后,GC/MS管柱分析的脱附物质的曲线图。
第7图是展示使用另外商品级可获得的聚乙烯作为密封材料的样本,当其历经温度为约50℃约30分钟后,GC/MS管柱分析的脱附物质的曲线图。
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