[发明专利]金属氧化物半导体薄膜、结构和方法

权利要求书

1.一种半导体材料或结构，包括：

ZnBeO或ZnCdOSe半导体合金材料，具有在约1.75eV与约10.6eV之间的能带隙值。

2.一种半导体材料或结构，包括：

ZnBeO半导体合金材料，具有在约3.3eV与约10.6eV之间的能带隙值。

3.一种半导体材料或结构，包括：

ZnCdOSe半导体合金材料，具有在约1.75eV与约3.3eV之间的能带隙值。

4.一种半导体材料或结构，包括：

不掺杂的ZnBeO或ZnCdOSe半导体合金材料，具有在约1.75eV与约10.6eV之间的能带隙值。

5.一种半导体材料或结构，包括：

不掺杂的ZnBeO半导体合金材料，具有在约3.3eV与约10.6eV之间的能带隙值。

6.一种半导体材料或结构，包括：

不掺杂的ZnCdOSe半导体合金材料，具有在约1.75eV与约3.3eV之间的能带隙值。

7.一种半导体材料或结构，包括：

P型掺杂的ZnBeO或ZnCdOSe半导体合金材料，具有在约1.75eV与约10.6eV之间的能带隙值。

8.一种半导体材料或结构，包括：

P型掺杂的ZnBeO半导体合金材料，具有在约3.3eV与约10.6eV之间的能带隙值。

9.一种半导体材料或结构，包括：

P型掺杂的ZnCdOSe半导体合金材料，具有在约1.75eV与约3.3eV之间的能带隙值。

10.一种半导体材料或结构，包括：

n型掺杂的ZnBeO或ZnCdOSe半导体合金材料，具有在约1.75eV与约10.6eV之间的能带隙值。

11.一种半导体材料或结构，包括：

n型掺杂的ZnBeO半导体合金材料，具有在约3.3eV与约10.6eV之间的能带隙值。

12.一种半导体材料或结构，包括：

n型掺杂的ZnCdOSe半导体合金材料，具有在约1.75eV与约3.3eV之间的能带隙值。

13.一种半导体材料或结构，包括：

P型掺杂的ZnBeO或ZnCdOSe半导体合金材料，具有在约1.75eV与约10.6eV之间的能带隙值；

其中，用于p型氧化锌半导体合金材料的掺杂物为选自族1、11、5和15元素的至少一元素。

14.一种半导体材料或结构，包括：

P型掺杂的ZnBeO半导体合金材料，具有在约3.3eV与约10.6eV之间的能带隙值；

其中，用于p型氧化锌半导体合金材料的掺杂物为选自族1、11、5和15元素的至少一元素。

15.一种半导体材料或结构，包括：

P型掺杂的ZnCdOSe半导体合金材料，具有在约1.75eV与约3.3eV之间的能带隙值；

其中，用于p型氧化锌半导体合金材料的掺杂物为选自族1、11、5和15元素的至少一元素。

16.一种半导体材料或结构，包括：

P型掺杂的ZnBeO或ZnCdOSe半导体合金材料，具有在约1.75eV与约10.6eV之间的能带隙值；

其中，用于p型ZnBeO或ZnCdOSe半导体合金材料的掺杂物为选自由砷、磷、锑和氮组成的群的至少一元素。

17.一种半导体材料或结构，包括：

P型掺杂的ZnBeO半导体合金材料，具有在约3.3eV与约10.6eV之间的能带隙值；

其中，用于p型ZnBeO半导体合金材料的掺杂物为选自由砷、磷、锑和氮组成的群的至少一元素。

18.一种半导体材料或结构，包括：

P型掺杂的ZnCdOSe半导体合金材料，具有在约1.75eV与约3.3eV之间的能带隙值；

其中，用于p型ZnCdOSe半导体合金材料的掺杂物为选自由砷、磷、锑和氮组成的群的至少一元素。