[发明专利]亚微米印花转移光刻术无效
申请号: | 200680015806.1 | 申请日: | 2006-05-05 |
公开(公告)号: | CN101198904A | 公开(公告)日: | 2008-06-11 |
发明(设计)人: | 阿恩·希约;拉尔夫·努左;安尼·希姆 | 申请(专利权)人: | 陶氏康宁公司 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;B41M3/00;B41M1/34 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微米 印花 转移 光刻 | ||
1.一种方法,包括:
在第一含硅弹性体的表面上形成第一图案;
把所述第一图案的至少一部分粘合到基板上;以及
蚀刻所述第一含硅弹性体和所述基板中的至少一个的一部分。
2.根据权利要求1所述的方法,其中形成所述第一图案包括:
在母版图案上沉积第一弹性体前体;
允许该第一弹性体前体基本上凝固成所述第一含硅弹性体;以及
从所述母版图案除去所述第一含硅弹性体。
3.根据权利要求1所述的方法,其中蚀刻所述第一含硅弹性体和所述基板中的至少一个的那一部分还包括使用反应离子蚀刻来蚀刻所述第一含硅弹性体和所述基板中的至少一个的部分。
4.根据权利要求1所述的方法,其中蚀刻所述第一含硅弹性体和所述基板中的至少一个的那一部分包括通过时应于所述第一图案的所述第一含硅弹性体的一部分来蚀刻所述基板的一部分。
5.一种方法,包括:
在含硅弹性体的表面上形成图案;
把所述图案的至少一部分粘合到基板上;以及
蚀刻所述含硅弹性体的一部分。
6.根据权利要求5所述的方法,其中形成所述图案包括:
在母版图案上沉积第一弹性体前体;
允许该第一弹性前体基本上凝固成该含硅弹性体;以及
从所述母版图案除去该含硅弹性体。
7.根据权利要求6所述的方法,其中形成所述图案还包括把所述第一弹性体前体旋涂到母版图案上并且在大约70℃固化该第一弹性体前体。
8.根据权利要求7所述的方法,其中形成所述图案还包括:
在相对于所述母版图案的所述含硅弹性体的表面上进行不粘处理;
在相对于所述母版图案的所述含硅弹性体的表面上沉积第二弹性体前体;以及
把所述第二弹性体前体固化成支撑含硅弹性体层。
9.根据权利要求8的方法,还包括在所述图案的至少一部分粘合到所述基板上以后除去所述支撑含硅弹性体层。
10.根据权利要求5所述的方法,其中把所述图案的至少一部分粘合到所述基板上还包括把所述图案的至少一部分粘合到所述基板上以使所述图案的粘合部分与所述基板不可逆地粘结。
11.根据权利要求5所述的方法,其中把所述图案的至少一部分粘合到所述基板上还包括把所述图案暴露于UV/氧化物。
12.根据权利要求5所述的方法,其中把所述图案的至少一部分粘合到所述基板上还包括把所述图案的至少一部分与所述基板接触放置。
13.根据权利要求12所述的方法,其中把所述图案的至少一部分粘合到所述基板上还包括在所述图案的至少一部分与所述基板接触时在选定的温度下将所述图案的至少一部分固化选定的时长。
14.根据权利要求5所述的方法,其中基板包括硅基板和至少一层,并且把所述图案的至少一部分粘合到所述基板上包括:
在所述硅基板上沉积至少一层;以及
把所述图案的至少一部分粘合到所述至少一层上。
15.根据权利要求14所述的方法,其中沉积所述至少一层包括:
在所述硅基板上沉积铝层;以及
在所述铝层上沉积二氧化硅层。
16.根据权利要求15所述的方法,其中把所述图案的至少一部分粘合到所述至少一层包括把所述图案的一部分粘合到所述二氧化硅层。
17.根据权利要求5所述的方法,其中蚀刻所述含硅弹性体的那一部分还包括使用反应离子蚀刻来蚀刻所述含硅弹性体的那一部分。
18.根据权利要求17所述的方法,其中使用反应离子蚀刻来蚀刻所述含硅弹性体的那一部分还包括使用基于氟和氧的等离子体蚀刻所述含硅弹性体的那一部分。
19.根据权利要求5所述的方法,其中蚀刻所述含硅弹性体的那一部分包括形成至少一个高纵横比的特征。
20.根据权利要求5所述的方法,还包括清洗所述已蚀刻的含硅弹性体。
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