[发明专利]用于多中间掩模处理的中间掩模对准和覆盖有效
申请号: | 200680015841.3 | 申请日: | 2006-05-02 |
公开(公告)号: | CN101171549A | 公开(公告)日: | 2008-04-30 |
发明(设计)人: | S·M·R·萨贾迪;尼古拉斯·布赖特 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L21/308 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余刚;尚志峰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 中间 处理 对准 覆盖 | ||
1.一种方法,包括:
接收带有特征布图节距的特征布图;以及
从所述特征布图生成多个中间掩模布图,其中,所述多个中间掩模布图中的每个中间掩模布图均具有中间掩模布图节距,并且其中,每个中间掩模布图节距是所述特征布图节距的至少两倍。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述多个中间掩模布图中的第一中间掩模布图包括第一对准标记,并且其中,所述多个中间掩模布图中的第二中间掩模布图包括第一对准标记以匹配所述第一中间掩模布图的所述第一对准标记,以及包括第二对准标记,所述第二对准标记不匹配所述第一中间掩模布图。
3.根据权利要求1至2所述的方法,进一步包括对所述多个中间掩模布图中的每一个执行收缩控制。
4.根据权利要求1至3所述的方法,进一步包括从所述多个中间掩模布图生成多个中间掩模。
5.根据权利要求4所述的方法,进一步包括:使用所述多个中间掩模中的第一中间掩模在基片上形成第一图案化层;
在所述第一图案化层上形成侧壁层;
通过所述第一图案化层和侧壁层,将第一组特征蚀刻到所述基片中;
使用所述多个中间掩模中的第二中间掩模在带有所述第一组蚀刻的特征的所述基片上形成第二图案化层;
在所述第二图案化层上形成侧壁层;以及
通过所述第二图案化层和侧壁层将第二组特征蚀刻到所述基片中。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,将所述第一组特征蚀刻至与所述第二组特征相同的深度。
7.根据权利要求4至6所述的方法,其中,所述第一中间掩模布图的所述第一对准标记用于在所述第一中间掩模中形成第一对准标记,并且所述第二中间掩模布图的所述第一对准标记和所述第二对准标记用于在所述第二中间掩模中形成第一对准标记和第二对准标记。
8.根据权利要求5至7所述的方法,其中,所述形成侧壁层将所述第一图案化层的CD减小了至少50%。
9.根据权利要求5至8所述的方法,其中,所述形成侧壁层将所述第二图案化层的CD减小了至少50%。
10.根据权利要求5至9所述的方法,其中,将所述第一组特征蚀刻至与所述第二组特征相同的深度,并且其中,所述执行所述收缩修正为消除对于隔离的和密集的特征的不同要求做好了准备。
11.根据权利要求2至10所述的方法,其中,所述第二中间掩模布图的所述第二对准标记用于对准另一层。
12.一种包括计算机可读介质的装置,包括:
用于接收带有特征布图节距的特征布图的计算机可读代码;以及
用于从所述特征布图生成多个中间掩模布图的计算机可读代码,其中,所述多个中间掩模布图中的每个中间掩模布图均具有中间掩模布图节距,并且其中,每个中间掩模布图节距是所述特征布图节距的至少两倍。
13.根据权利要求12所述的装置,其中,所述多个中间掩模布图中的第一中间掩模布图包括第一对准标记,并且其中,所述多个中间掩模布图中的第二中间掩模布图包括第一对准标记以匹配所述第一中间掩模布图的所述第一对准标记,以及包括第二对准标记,所述第二对准标记不匹配所述第一中间掩模布图。
14.根据权利要求12至13所述的装置,进一步包括用于对所述多个中间掩模布图中的每一个执行收缩控制的计算机可读代码。
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