[发明专利]Ⅲ族氮化物结晶的制造方法、Ⅲ族氮化物结晶的制造装置及Ⅲ族氮化物结晶

权利要求书

1.一种III族氮化物结晶的制造方法，将保持有含III族金属和助熔剂的溶液的溶液保持容器收纳于反应容器内，经配管将含氮的物质从外部供给向所述反应容器内，同时制造III族氮化物结晶，其特征在于，

含有在使III族氮化物结晶在所述溶液保持容器内成长之前，在所述配管内形成液体滞留部，利用该滞留部暂时堵塞所述配管的工序。

2.如权利要求1所述的III族氮化物结晶的制造方法，其特征在于，还含有在堵塞所述配管的工序之后再使所述III族氮化物结晶结晶成长的工序。

3.如权利要求1或2所述的III族氮化物结晶的制造方法，其特征在于，

含有所述氮的物质为气体，

所述液体的滞留部具有与所述气体相接的至少两个界面，

该III族氮化物结晶的制造方法还包括将所述至少两个界面中位于最接近所述溶液保持容器的位置的界面的温度提高到比其它界面的温度高的工序。

4.如权利要求3所述的III族氮化物结晶的制造方法，其特征在于，还包括将所述至少两个界面中位于最接近所述溶液保持容器的位置的界面以外的至少一个界面的温度设为抑制所述液体的实质蒸发的温度的工序。

5.如权利要求3所述的III族氮化物结晶的制造方法，其特征在于，还含有将所述至少两个界面中位于最接近所述溶液保持容器的位置的界面以外的至少一个界面的温度、及与该界面相接的所述气体的压力设为抑制所述液体的实质蒸发的温度及压力的工序。

6.如权利要求3所述的III族氮化物结晶的制造方法，其特征在于，还包括：

将所述至少两个界面中位于最接近所述溶液保持容器的位置的界面的温度设为防止所述溶液保持容器内保持的所述溶液中的助熔剂减少的温度的工序、和

将所述至少两个界面中位于最接近所述溶液保持容器的位置的界面以外的至少一个界面的温度设为抑制所述液体的实质蒸发的温度的工序。

7.如权利要求3所述的III族氮化物结晶的制造方法，其特征在于，还包括：

将所述至少两个界面中位于最接近所述溶液保持容器的位置的界面的温度设为使从所述滞留部蒸发的助熔剂的蒸汽压与从所述溶液保持容器内保持的所述溶液蒸发的助熔剂的蒸汽压大致一致的温度的工序、和

将所述至少两个界面中位于最接近所述溶液保持容器的位置的界面以外的至少一个界面的温度设为抑制所述液体的实质蒸发的温度的工序。

8.如权利要求1所述的III族氮化物结晶的制造方法，其特征在于，在所述堵塞配管的工序中，使用碱金属作为所述液体。

9.如权利要求8所述的III族氮化物结晶的制造方法，其特征在于，

所述助熔剂为碱金属，

在所述堵塞配管的工序中，使所述溶液保持容器内的溶液中所含的碱金属的一部分蒸发，将其移送到所述配管内，并使其在该配管内液化，形成所述滞留部。

10.如权利要求1所述的III族氮化物结晶的制造方法，其特征在于，当所述反应容器内的III族氮化物进行结晶成长，所述反应容器内的压力低于适于使III族氮化物的结晶在所述溶液保持容器内成长的压力时，所述滞留部的液体通过该压力差移动到所述反应容器内，解除所述配管的堵塞状态。

11.一种III族氮化物结晶的制造装置，其特征在于，具备：

可密闭的反应容器、

收容于所述反应容器内并保持含有III族金属和助熔剂的溶液的溶液保持容器、

配置于所述反应容器的外部并加热所述反应容器的加热装置、

将位于所述反应容器外部的含氮的物质的供给源和所述反应容器连接的配管，

所述配管具有可在内部保持液体的构造。

12.如权利要求11所述的III族氮化物结晶的制造装置，其特征在于，所述液体只保持于所述配管内。

13.如权利要求12所述的III族氮化物结晶的制造装置，其特征在于，还具备另一个加热装置，该加热装置将保持于所述配管内的所述液体具有的至少两个气液界面中最接近所述溶液保持容器的气液界面的温度设为防止所述溶液保持容器内保持的所述溶液中的助熔剂减少的温度。