[发明专利]非易失性存储器中的编程抑制方案的选择性应用

权利要求书

1.一种对非易失性存储装置进行编程的方法，其包含：

确定多个字线中的哪一者将接收用于编程的编程电压信号，将所述字线耦合到第一非易失性存储元件群组的第一非易失性存储元件和第二非易失性存储元件群组的第二非易失性存储元件，将抑制编程所述第一非易失性存储元件，且将编程所述第二非易失性存储元件；

基于所述将接收所述编程电压信号的字线来选择编程抑制方案；

使用所述选定的编程抑制方案将所述第一非易失性存储元件群组的沟道升压到某一电压电位；以及

启用对所述第二非易失性存储元件群组的编程。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述选择编程抑制方案的步骤包括：

基于所述多个字线的编程次序来选择所述编程抑制方案。

3.根据权利要求2所述的方法，其中基于编程次序来选择所述编程抑制方案包括：

确定所述将接收所述编程电压信号的字线是在所述多个字线的第一范围还是第二范围内，在所述第二范围之前编程所述第一范围；以及

如果所述字线在所述第一范围内，那么选择第一编程抑制方案，且如果所述字线在所述第二范围内，那么选择第二编程抑制方案。

4.根据权利要求3所述的方法，其中：

所述第一编程抑制方案是自升压编程抑制方案；且

所述第二编程抑制方案是擦除区域自升压方案。

5.根据权利要求4所述的方法，其中：

所述字线在所述第一范围内；且

所述使用所述自升压编程抑制方案对所述沟道的所述电压电位进行升压的步骤包括：

向所述将接收所述编程电压信号的字线施加所述编程电压信号，以及

向所述多个字线中的每一未选定字线施加通过电压。

6.根据权利要求3所述的方法，其中：

所述字线在所述第二范围内；

所述多个字线包括在源极侧方向上邻近于所述字线的相邻字线；且

所述使用所述第二编程抑制方案对所述第一群组的所述沟道的所述电压电位进行升压的步骤包括：

向所述将接收所述编程电压信号的字线施加所述编程电压，

向所述源极侧邻近字线施加零伏，以及

向所述多个字线中的每一剩余未选定字线施加通过电压。

7.根据权利要求3所述的方法，其中：

所述字线在所述第二范围内；

所述多个字线包括在源极侧方向上邻近于所述字线的字线和在漏极侧方向上邻近于所述字线的字线；且

所述使用所述第二编程抑制方案对所述第一群组的所述沟道的所述电压电位进行升压的步骤包括：

向所述将接收所述编程电压信号的字线施加所述编程电压，

向所述源极侧邻近字线施加零伏，

向所述漏极侧邻近字线施加零伏，以及

向所述多个字线中的每一剩余未选定字线施加通过电压。

8.根据权利要求3所述的方法，其中：

所述字线在所述第二范围内；

所述多个字线包括在源极侧方向上邻近于所述字线的第二字线；

所述多个字线包括在所述源极侧方向上邻近于所述第二字线的第三字线；且

所述使用所述第二编程抑制方案对所述第一群组的所述沟道的所述电压电位进行升压的步骤包括：

向所述将接收所述编程电压信号的字线施加所述编程电压，

向所述第二字线施加第一电压，所述第一电压大于零伏，

向所述第三字线施加零伏，以及

向所述多个字线中的每一剩余未选定字线施加通过电压。

9.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述基于所述将接收所述编程电压信号的字线来选择编程抑制方案的步骤包括选择所述编程电压信号的脉冲的斜坡率。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述选择编程抑制方案的步骤包含：

如果所述字线在所述多个字线的第一范围内，那么为所述编程电压信号的所述脉冲选择第一斜坡率，或者如果所述字线在所述多个字线的第二范围内，那么选择第二斜坡率。

11.根据权利要求10所述的方法，其中：

在所述第二范围之前编程所述第一范围；且

所述第一斜坡率比所述第二斜坡率慢。