[发明专利]薄膜电容器的制造方法无效
| 申请号： | 200680016375.0 | 申请日： | 2006-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101176171A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 南川忠洋;前田昌祯 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G13/00;H01G4/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 电容器 制造 方法 | ||
1.一种薄膜电容器的制造方法，是在电介质层的两个主面上形成了导体层的薄膜电容器的制造方法，其特征是，
包括：
分别制作含有电介质陶瓷粉末的电介质生片、含有金属粉末的导体生片、含有氧化物无机材料粉末的烧成辅助用生片的生片制作工序；
在上述电介质生片的两个主面分别配置上述导体生片而形成电容器部，并且以将上述电容器部用上述烧成辅助用生片保持的方式配置上述烧成辅助用生片而形成叠层体的叠层体形成工序；
将上述叠层体烧成的烧成工序，
在上述烧成工序的烧成处理中，降低上述导体生片与上述烧成辅助用生片的界面的粘接强度，并且将烧成气氛的氧分压至少改变1次以上，将作为上述电容器部的烧结体的薄膜电容器与作为上述烧成辅助用生片的烧结体的烧成辅助构件分离。
2.根据权利要求1所述的薄膜电容器的制造方法，其特征是，上述金属粉末是Ni及以Ni为主成分的合金当中的某种。
3.根据权利要求2所述的薄膜电容器的制造方法，其特征是，将上述烧成辅助用生片制成框状，以与上述导体生片的外周接触的方式，或以与上述外周靠近的方式配置该烧成辅助用生片。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的薄膜电容器的制造方法，
其特征是，上述氧化物无机材料粉末为Al2O3粉末。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的薄膜电容器的制造方法，
其特征是，上述电介质层的厚度与上述导体层的厚度的总和在100μm以下。
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