[发明专利]作为有机半导体的氮杂二萘嵌苯

权利要求书

1.半导体设备，或含有半导体元件的设备，包含式I的氮杂二萘嵌苯有机半导体

其中

每个R1、R2、R3和R4独立选自H、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基、卤素、取代的甲硅烷基、XR6；或一种或多种的R1和R2、R2和R3、R3和R4，与它们键合的碳原子一起形成饱和的或不饱和的、无取代的或取代的碳环或杂环；

R5为OR7、SR7、NR7R8、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基或无取代的或取代的芳基；

R6为取代的甲硅烷基、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基；

R7为H、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基；

X为O、S、NR8；

R8为H、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基。

2.权利要求1的半导体设备，其中在式I中

每个烷基选自C₁-C₂₂烷基，其可以被O、S、COO、OCNR10、OCOO、OCONR10、NR10CNR10或NR10间隔，其中R10为H、C₁-C₁₂烷基、C₄-C₁₂环烷基；每个芳基选自C₄-C₁₈芳香部分，其可以含有，作为环结构部分的一个或二个选自O、N和S的杂原子，优选的芳基选自苯基、萘基、吡啶基、四氢萘基、呋喃基、噻吩基、吡咯基、喹啉基，异喹啉基、anthrachinyl、蒽基、菲基、芘基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、苯并噻吩基；在存在取代基的情况下，取代基与碳原子键合，所述取代基选自C₁-C₂₂烷氧基、C₁-C₂₂烷基、C₄-C₁₂环烷氧基、C₄-C₁₂环烷基、OH、卤素、苯基、萘基；同时饱和的碳还可以被氧代(＝O)取代；2个相邻的取代基可以通过在各自上减少氢原子而连接在一起。

3.权利要求1或2的半导体设备，其中在式I化合物中每个相邻的残基R1和R2、R3和R4，与它们键合的碳原子一起形成饱和的或不饱和的碳环或N-杂环6-元环；R5为OR7、SR7；和R7为H、无取代的或取代的烷基。

4.权利要求2的半导体设备，其中式I化合物符合结构III

其中

R独立为H、卤素、OH、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的烷氧基、无取代的或取代的烷硫基、无取代的或取代的芳基、和

R7独立为H、烷基、链烯基或炔基，尤其是烷基，和

其中优选R和R₇的至少一个选自C₄-C₂₂烷基、C₁₀-C₂₂苯基烷基或在脂肪族部分被O、S、NR10、COO、OCNR10、OCOO、OCONR10、NR10CNR10所间隔的这样的残基。

5.权利要求1的半导体设备，其为二极管、有机场效应晶体管或含有二极管和/或有机场效应晶体管的设备。

6.权利要求5的设备，包含栅电极、在栅电极上的栅电介质、与栅电介质相邻的漏电极和源电极，和与栅电介质相邻的和与源电极和漏电极相邻的半导体层，其中半导体层包含式I或III的化合物。

7.制备有机半导体设备的方法，该方法包含向合适的基材施加权利要求1的式I的氮杂二萘嵌苯化合物在有机溶剂中的溶液，其中R1-R7的至少一个含有4个或更多个碳原子的烷基或亚烷基链，尤其是其中1或2个R1-R7含有残基，该残基选自C₄-C₂₂烷基、C₁₀-C₂₂苯基烷基，或这样的残基在脂肪族部分被O、S、NR10，COO、OCNR10、OCOO、OCONR10、NR10CNR10所间隔；并除去该溶剂。